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文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇电流
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇芯片
  • 2篇二极管
  • 2篇封口工艺
  • 2篇玻封
  • 2篇玻壳
  • 2篇大电流
  • 1篇多余物
  • 1篇熔焊
  • 1篇体腔
  • 1篇体腔内
  • 1篇腔内
  • 1篇密封
  • 1篇封装
  • 1篇封装工艺
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇济南市半导体...

作者

  • 3篇李东华
  • 3篇崔玉琦
  • 3篇马捷
  • 2篇张聪
  • 1篇侯杰

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
控制半导体腔内可动多余物的封装工艺
本发明公开了一种控制半导体腔内可动多余物的封装工艺,所述封装工艺包括清洗管座和管帽、选择缓冲剂、缓冲剂制备、涂缓冲剂和密封5个步骤,本发明利用高真空微孔密封剂的粘性,在管帽和管座的密封筋处涂缓冲剂,将管座和管帽焊接在一起...
于宗智李东华侯杰马捷崔玉琦
大电流玻封肖特基二极管及制作工艺
本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺,所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线,上引线的底端设有一个金属带面,金属带面与芯片上表面压力...
李东华张聪崔玉琦马捷韩希方
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大电流玻封肖特基二极管及制作工艺
本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺,所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线,上引线的底端设有一个金属带面,金属带面与芯片上表面压力...
李东华张聪崔玉琦马捷韩希方
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共1页<1>
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