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文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 4篇陶瓷
  • 3篇陶瓷外壳
  • 2篇电性能指标
  • 2篇多层陶瓷
  • 2篇氧化铝
  • 2篇载流
  • 2篇载流能力
  • 2篇提升管
  • 2篇填孔
  • 2篇凸台
  • 2篇平板
  • 2篇平板模式
  • 2篇腔结构
  • 2篇无缝
  • 2篇无缝拼接
  • 2篇马兰
  • 2篇金属化
  • 2篇基板
  • 2篇脚型
  • 2篇管壳

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇龚锦林
  • 4篇陈宇宁
  • 3篇陈寰贝
  • 3篇李永彬
  • 2篇庞学满
  • 2篇曹坤
  • 2篇谢新根
  • 1篇周昊
  • 1篇许丽清

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法
本发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法,其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;共烧工艺方法,包括配料、流延、打孔填孔、...
施梦侨李永彬龚锦林
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多芯片集成式CQFP陶瓷外壳及其制作方法
本发明是高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳及其制作方法,其结构外形尺寸为25.4mm×25.4mm×3.0mm,内部腔体尺寸为21.8×21.8×1.25mm,外部引线节距为1.27mm,内部导线间距为0....
谢新根周昊龚锦林
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小尺寸方形扁平无引脚型封装层间互连结构及制造方法
本发明是一种小尺寸高可靠QFN(方形扁平无引脚)型封装层间互连结构及制造方法,其结构包括小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区和封接框。其制造方法,包括步骤:a)0.5mm节距小孔冲制;b)0.5mm节距细间距图形及0...
莫仲龚锦林唐利峰陈寰贝
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一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法
本发明涉及一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计,包括高温氧化铝共烧陶瓷片、陶瓷端封孔、金属化连筋图形、应力释放槽和金属化侧壁印刷,在陶瓷墙端封区域设有金属化连筋图形,同时在烧结成型前制作应力释放槽,达到金属‑陶瓷钎焊...
莫仲陈宇宁陈寰贝龚锦林
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一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法
本发明涉及一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计,包括高温氧化铝共烧陶瓷片、陶瓷端封孔、金属化连筋图形、应力释放槽和金属化侧壁印刷,在陶瓷墙端封区域设有金属化连筋图形,同时在烧结成型前制作应力释放槽,达到金属‑陶瓷钎焊...
莫仲陈宇宁陈寰贝龚锦林
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一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板制造方法
本发明是一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板的制造方法,利用多层陶瓷共烧工艺,选用适合HTCC工艺的生瓷带为基材,钨作为金属化材料,采用隔垫马兰膜以及无缝拼接叠片层压方法,所制作孤立凸台型结构HTCC基板,可以实现外凸台...
庞学满龚锦林曹坤陈宇宁
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X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法
本发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法,其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;共烧工艺方法,包括配料、流延、打孔填孔、...
施梦侨李永彬龚锦林
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一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板制造方法
本发明是一种高精度孤立凸台型结构HTCC基板的制造方法,利用多层陶瓷共烧工艺,选用适合HTCC工艺的生瓷带为基材,钨作为金属化材料,采用隔垫马兰膜以及无缝拼接叠片层压方法,所制作孤立凸台型结构HTCC基板,可以实现外凸台...
庞学满龚锦林曹坤陈宇宁
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应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳
本发明是一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳,射频引脚采用共面波导—垂直挂孔—共面波导的结构,通过在射频引脚两侧分布密集的接地孔,抑制高阶模式的传输,从而消除高频谐振,腔体中芯片粘贴区设置阵列接地通孔,以增加射频...
李永彬龚锦林许丽清谢新根
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共1页<1>
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