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李平林

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:新乡学院更多>>
相关领域:文化科学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇超导
  • 8篇超导材料
  • 6篇基底
  • 4篇有机盐
  • 4篇高纯铝
  • 4篇高温超导
  • 4篇高温超导薄膜
  • 4篇超导薄膜
  • 4篇纯铝
  • 2篇导体
  • 2篇电化学抛光
  • 2篇电极
  • 2篇动力学
  • 2篇动力学过程
  • 2篇阳极
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝基
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇溶胶凝胶法

机构

  • 10篇新乡学院

作者

  • 10篇程素君
  • 10篇郭志超
  • 10篇李平林
  • 10篇申建芳
  • 2篇徐彦

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法
本发明公开了一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法,属于晶体基底的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法,具体步骤为:将铝片依次经过脱脂处理、退火处理和电化学抛光处理得到预处理后的铝片;...
郭志超李平林申建芳程素君
文献传递
一种测量超导材料临界电流密度的方法
本发明公开了一种测量超导材料临界电流密度的方法,具体步骤为:(1)制备特定超导材料的标准样品,先用四引线法测量标准样品在不同磁场强度和温度下的电流,再在同样的磁场强度和温度下用Campbell法测得标准样品输出的电压信号...
郭志超申建芳李平林程素君
文献传递
一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法
本发明公开了一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法,属于晶体基底的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种阳极氧化制备氧化铝晶体基底的方法,具体步骤为:将铝片依次经过脱脂处理、退火处理和电化学抛光处理得到预处理后的铝片;...
郭志超李平林申建芳程素君
一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法
本发明公开了一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法,属于超导材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法,该方法采用在高纯铝阳极氧化技术制备的氧化铝晶体基底上...
郭志超李平林申建芳程素君
一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法
本发明公开了一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法,属于超导材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法,采用高纯铝阳极氧化技术制备氧化铝晶体基底,用有机盐沉积法和溶胶凝...
郭志超李平林申建芳程素君
一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法
本发明公开了一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法,属于超导材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法,该方法采用在高纯铝阳极氧化技术制备的氧化铝晶体基底上...
郭志超李平林申建芳程素君
文献传递
一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法
本发明公开了一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法,属于超导材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为:一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜的方法,采用高纯铝阳极氧化技术制备氧化铝晶体基底,用有机盐沉积法和溶胶凝...
郭志超李平林申建芳程素君
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一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置
本发明公开了一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置,属于超导材料的应用技术领域。本发明的技术方案要点为:一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置,包括冷媒腔及设置于冷媒腔两侧立壁上的转轴,转轴的中部固定有圆形支架,圆形支架...
郭志超李平林申建芳程素君徐彦
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一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置
本发明公开了一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置,属于超导材料的应用技术领域。本发明的技术方案要点为:一种超导迈斯纳效应过程做功连续输出装置,包括冷媒腔及设置于冷媒腔两侧立壁上的转轴,转轴的中部固定有圆形支架,圆形支架...
郭志超李平林申建芳程素君徐彦
一种测量超导材料临界电流密度的方法
本发明公开了一种测量超导材料临界电流密度的方法,具体步骤为:(1)制备特定超导材料的标准样品,先用四引线法测量标准样品在不同磁场强度和温度下的电流,再在同样的磁场强度和温度下用Campbell法测得标准样品输出的电压信号...
郭志超申建芳李平林程素君
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共1页<1>
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