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钟爱华

作品数:20 被引量:0H指数:0
供职机构:深圳大学更多>>
发文基金:深圳市科技计划项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 7篇溅射
  • 5篇氧化钒薄膜
  • 5篇氢气
  • 5篇氢气传感器
  • 5篇二氧化钒
  • 5篇二氧化钒薄膜
  • 4篇电极
  • 4篇光电
  • 4篇磁控
  • 3篇相变性能
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇电传感器
  • 2篇电容

机构

  • 20篇深圳大学
  • 1篇佛山职业技术...

作者

  • 20篇钟爱华
  • 11篇范平
  • 10篇罗景庭
  • 10篇张东平
  • 6篇蔡兴民
  • 6篇郑壮豪
  • 5篇梁广兴
  • 4篇杨凯
  • 3篇李甫
  • 2篇林思敏
  • 2篇秦晓楠
  • 1篇刘毅
  • 1篇叶凡

传媒

  • 1篇真空与低温
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种二氧化钒薄膜低温沉积方法
本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法,采用磁控溅射技术,以金属钒或钒合金为靶材,以氧气为反应气体,氩气为溅射气体;制备薄膜前,先将真空室抽至低于1×10<Sup>-3</Sup>Pa本底真空,然后通入氧气和氩气混合...
张东平朱茂东杨凯范平蔡兴民罗景庭钟爱华林思敏
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ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用
本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用,包括Si衬底,及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si(100)作为衬底材料,采用反应磁控溅射法...
罗景庭全傲杰范平钟爱华郑壮豪张东平梁广兴
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一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法
本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法,包括步骤:首先,将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜;对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征,得到薄膜的化学计量比和微结构信息;将上述制备得到的二氧化...
张东平杨凯朱茂东秦晓楠关天锐范平蔡兴民罗景庭钟爱华
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电容式氢气传感器芯体及其制备方法、电容式氢气传感器
本发明所提供的电容式氢气传感器芯体及其制备方法、电容式氢气传感器,电容式氢气传感器芯体包括:自下至上依次设置的基体、介质片和第二电极;其中,基体设置为导电材料层;第二电极设置为氢气敏感层;介质片为Ⅲ族氮化物层,且介质片背...
钟爱华于慧敏
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一种利用声表面波技术控制大肠杆菌生长的方法
本发明公开了一种利用声表面波(SAW)技术控制大肠杆菌生长的方法,属于新型电子器件和生物技术领域,具体涉及利用高频低能量(频率超过1MHz,能量0.1W‑3W)声表面波促进大肠杆菌的生长,另一方面利用高频高能量(能量大于...
罗景庭全傲杰范平钟爱华郑壮豪张东平梁广兴
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Pd/Ga_(2)O_(3)/AlGaN/GaN HEMT基氢气传感器研究
2024年
氢气易燃易爆,因此需要海量快速响应的氢气传感器对加氢站、运输车及氢能源汽车等氢能源各个环节进行预警预报。本文研究了基于贵金属钯(Pd)为栅极的高速二维电子气晶体管(HEMT)型氢气传感器,金属Pd栅极为敏感电极,Ti/Al/Ti/Au为源漏极。结果表明:该晶体管开关比为3.58×10^(7)。实验研究了不同厚度Ga_(2)O_(3)插入层对氢气响应特性的影响规律。随着Ga_(2)O_(3)插入层的厚度增大,传感器的饱和体积分数明显增大,从1×10^(-3)提高到7×10^(-3)。对于Ga_(2)O_(3)插入层厚度为10 nm的器件,其综合性能最好,饱和浓度为5×10^(-3),且具有很高的响应度,1×10^(-3)时的响应度为4300%。特别地,其响应速度非常快,最快可以2 s内完成氢气检测。
钟远婷孙爱发刘阳泉钟爱华
关键词:氢气传感器HEMT
一种气体集成传感器芯片
本发明内容为一种检测氢气、碳氢化合物、氨气等气体的集成传感器芯片,可以解决现有传感器存在的能耗高、尺寸大、选择性差、易受环境干扰问题,尤其适合无线传感器网络构建。该芯片传感器最大的特点是利用MEMS技术将传感单元(1)与...
钟爱华
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一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法
本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法,包括步骤:首先,将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜;对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征,得到薄膜的化学计量比和微结构信息;将上述制备得到的二氧化...
张东平杨凯朱茂东秦晓楠关天锐范平蔡兴民罗景庭钟爱华
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一种二氧化钒薄膜低温沉积方法
本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法,采用磁控溅射技术,以金属钒或钒合金为靶材,以氧气为反应气体,氩气为溅射气体;制备薄膜前,先将真空室抽至低于1×10<Sup>‑3</Sup>Pa本底真空,然后通入氧气和氩气混合...
张东平朱茂东杨凯范平蔡兴民罗景庭钟爱华林思敏
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一种锑化锌热电材料的电极材料及其制备方法
本发明涉及锑化锌热电材料的电极材料及其制备工艺,其特征在于所述的电极材料是金属钴、金、白金、钯或其合金。在电极制备之前,对锑化锌薄膜表面进行粗糙化处理,促进欧姆接触形成。将电极置于锑化锌热电材料之后,对其进行热处理,进一...
钟爱华范平尹楣楣张东平罗景庭李甫郑壮豪谢毅柱蔡兴民
文献传递
共2页<12>
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