您的位置： 专家智库 > >

王慧敏

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇栅压
  • 6篇电流
  • 6篇半导体
  • 4篇导体
  • 4篇等势
  • 4篇异质结
  • 4篇栅介质
  • 4篇直接隧穿
  • 4篇隧穿
  • 4篇沟道
  • 4篇半导体异质结
  • 2篇电容
  • 2篇电子器件
  • 2篇压缩率
  • 2篇载流子
  • 2篇势垒
  • 2篇泄露电流
  • 2篇离子碰撞
  • 2篇界面态
  • 2篇介质层

机构

  • 14篇北京大学

作者

  • 14篇王慧敏
  • 12篇黄如
  • 12篇黄芊芊
  • 8篇赵阳
  • 8篇陈诚
  • 6篇陈亮
  • 1篇唐子勇

传媒

  • 1篇中华医学会肾...

年份

  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及制备方法
本发明公开了一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及其制备方法，采用二维合金半导体材料HfZrSe<Sub>2</Sub>作为沟道材料，使之表面在空气中氧化生成HfZrO<Sub>2</Sub>，再通过退火得到具有铁电性的...
黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮杨勐譞
文献传递
一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿场效应晶体管及制备方法，通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
文献传递
一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无...
黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳
文献传递
实习经历对大学生就业质量的影响研究
近年来，随着高校毕业生数量的急剧增加，大学生就业难的问题得到了社会广泛且持续的关注。各项社会调查数据表明，缺乏社会经验、没有工作经验成为大学生就业难的主要因素。而实习正是大学生积累实践经验，促进成功就业的重要途径。本研究...
王慧敏
关键词：大学生就业质量工作满意度
一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿场效应晶体管及制备方法，通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
文献传递
一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无...
黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳
文献传递
负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法。本发明在器件亚阈区，第一常规栅介质层和第二常规栅介质层构成常规栅介质电容，负电子压缩率栅介质层构成NEC电容，使得常规栅介质电容的电容大于NEC电容的绝...
黄如王慧敏黄芊芊
持续性不卧床腹膜透析患者并发低蛋白血症30例临床分析
王慧敏唐子勇
一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0