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汪立

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 4篇动态范围
  • 4篇图像
  • 4篇图像传感器
  • 4篇环境光
  • 4篇光电
  • 4篇光电二极管
  • 4篇二极管
  • 3篇芯片
  • 3篇芯片面积
  • 3篇环境光传感器
  • 3篇光传感器
  • 2篇电路
  • 2篇堆栈
  • 2篇阳极
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇阴极
  • 2篇栅极

机构

  • 8篇比亚迪汽车股...

作者

  • 8篇汪立
  • 6篇胡文阁
  • 4篇刘坤
  • 2篇胡文革

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种提高CMOS图像传感器动态范围的装置和方法
本发明公开了一种提高互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器动态范围的装置和方法，包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、A/D转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元...
胡文阁汪立刘坤
一种组合光电二极管及其环境光传感器
本发明提供一种组合光电二极管，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；第一光电二极管，包括：第一深阱，位于半导体衬底中且具有第二掺杂类型，第三阱，位于半导体衬底中第一深阱的上方，具有第一掺杂类型，第三阱的结深和表面积分别小于...
邵光云汪立傅璟军胡文革
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一种提高CMOS图像传感器动态范围的装置和方法
本发明公开了一种提高互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器动态范围的装置和方法，包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、A/D转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元...
胡文阁汪立刘坤
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一种高动态范围的像素单元及图像传感器
本发明提供了一种高动态范围的像素单元，具有4T结构，所述像素单元的复位晶体管栅极部分与光电二极管区域重叠构成第一电荷存储栅；行选通晶体管栅极部分与光电二级管区域重叠构成第二电荷存储栅。本发明还提供了一种高动态范围的图像传...
刘坤汪立胡文阁
一种组合光电二极管及其环境光传感器
本发明提供一种组合光电二极管，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；第一光电二极管，包括：第一深阱，位于半导体衬底中且具有第二掺杂类型，第三阱，位于半导体衬底中第一深阱的上方，具有第一掺杂类型，第三阱的结深和表面积分别小于...
邵光云汪立傅璟军胡文革
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一种堆栈光电二极管及其制备方法
本发明提出了一种堆栈光电二极管及其制备方法，该堆栈光电二极管包括：半导体材料、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、场氧区、金属层、钝化层、感光窗口和抗反射层。本发明仅采用一个堆栈光电二极管来实现环境光检测功能...
邵光云汪立 傅璟军胡文阁
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一种高动态范围的像素单元及图像传感器
本发明提供了一种高动态范围的像素单元，具有4T结构，所述像素单元的复位晶体管栅极部分与光电二极管区域重叠构成第一电荷存储栅；行选通晶体管栅极部分与光电二级管区域重叠构成第二电荷存储栅。本发明还提供了一种高动态范围的图像传...
刘坤汪立胡文阁
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一种堆栈光电二极管及其制备方法
本发明提出了一种堆栈光电二极管及其制备方法，该堆栈光电二极管包括：半导体材料、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、场氧区、金属层、钝化层、感光窗口和抗反射层。本发明仅采用一个堆栈光电二极管来实现环境光检测功能...
邵光云汪立 傅璟军胡文阁
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