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李中兰

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 14篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 9篇钝化
  • 8篇电极
  • 7篇背电极
  • 4篇量子效率
  • 4篇磷源
  • 4篇内量子效率
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 2篇点接触
  • 2篇钝化膜
  • 2篇掩膜
  • 2篇氧化层
  • 2篇氧化硅
  • 2篇制作方法
  • 2篇烧结炉

机构

  • 16篇常州天合光能...

作者

  • 16篇李中兰
  • 8篇杨阳
  • 4篇张学玲
  • 2篇许庭静
  • 1篇冯志强
  • 1篇焦海军
  • 1篇张舒
  • 1篇陈艳
  • 1篇陈奕峰
  • 1篇柳伟
  • 1篇全鹏

年份

  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全背电极太阳能电池
本实用新型公开了一种全背电极太阳能电池，它包括衬底硅片，衬底硅片的正面具有绒面层，衬底硅片的背面具有由P型区和N型区排列而成的P-N型区，并且衬底硅片的绒面层的外表面上生长有第一钝化膜层，衬底硅片的P-N型区的外表面上生...
李中兰杨阳张学玲威灵顿·皮埃尔·J
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能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜
本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，有两种结构，第一种：该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0-2.1，厚度为70-80nm；该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm。第二种...
李中兰杨阳威灵顿·皮埃尔J
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虚线型开槽的背钝化太阳能电池结构
本发明涉及一种虚线型开槽的背钝化太阳能电池结构,在太阳电池的背面覆盖背钝化膜，在背钝化膜上开槽，背钝化膜上的开槽构成多条相互平行的虚线型开槽线。本发明的有益效果是：减小了在钝化膜上开槽的面积，更多地保留了钝化膜的钝化作用...
李中兰
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能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜
本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，有两种结构，第一种：该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0-2.1，厚度为70-80nm；该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm。第二种...
李中兰杨阳威灵顿·皮埃尔J
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全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法
本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，采用间接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤；该方法所得前表面场的表面浓度可达3E17cm<Su...
李中兰
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选择性接触的太阳电池前电极的制作方法
本发明涉及一种选择性接触的太阳电池前电极的制作方法，首先用刻蚀浆料印刷或者激光开槽的方法在制备完SiNx减反膜的硅片上开槽，使之将该部分SiNx腐蚀掉，露出前电极与硅选择性接触的部分；然后印刷不含玻璃料的银浆料形成一种选...
李中兰
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一种改善背钝化太阳电池填充性能的烧结方法
本发明涉及一种改善背钝化太阳电池填充性能的烧结方法，具体的烧结步骤如下：（1）浆料烘干：太阳电池片由正面的Ag浆朝上放置进入烧结炉进行浆料烘干；（2）翻转和Al烧结：升温到500～550℃时将太阳电池片翻转，使太阳电池片...
李中兰许庭静
一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法
本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，采用直接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括步骤：在800℃-810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃-950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛...
李中兰
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全背电极太阳能电池的制作方法及全背电极太阳能电池
本发明公开了一种全背电极太阳能电池的制作方法及全背电极太阳能电池，方法的步骤如下：对衬底硅片进行前置处理，在硅片背面形成N、P相间的区域，并在前后表面分别形成第一、第二钝化膜层；然后在第二钝化膜层上形成多个点接触孔；在衬...
李中兰杨阳张学玲威灵顿·皮埃尔·J
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用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法
本发明涉及硅片体寿命测试技术领域，特别是一种用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法。该用于测试体寿命的硅片，具有多个测试区域，每个测试区域的硅片厚度都不同。该硅片的制作方法：在同一硅片的表面的不同测试区域镀不同...
杨阳李中兰
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