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张为国

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 22篇电池
  • 11篇太阳电池
  • 11篇太阳能电池
  • 8篇太阳能电池片
  • 8篇晶体硅
  • 8篇硅太阳电池
  • 6篇晶体硅太阳电...
  • 5篇发射极
  • 4篇选择性发射极
  • 4篇丝网印刷
  • 4篇扩散炉
  • 4篇背接触
  • 4篇标准电池
  • 3篇太阳能
  • 3篇扩散
  • 3篇IBC
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅太阳电...
  • 2篇电极

机构

  • 22篇苏州阿特斯阳...
  • 6篇盐城阿特斯协...
  • 6篇阿特斯(中国...

作者

  • 22篇张为国
  • 10篇王栩生
  • 10篇章灵军
  • 6篇龙维绪
  • 1篇孟夏杰
  • 1篇吴坚
  • 1篇殷玮玮

年份

  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法
本发明公开了一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)清洗去除上述阻挡层；(4)制备背极背场...
张为国王栩生章灵军
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一种N型背发射极太阳电池的制备方法
本发明公开了一种N型背发射极太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)对N型硅片进行制绒、扩散、背面抛光；(2)在硅片背面的抛光面上丝网印刷P型掺杂浆料，烧结，得到背发射极；(3)采用腐蚀液处理上述背发射极；(4)刻蚀、正...
张为国龙维绪王栩生章灵军
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一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗，制绒；(2)生长有源掺杂剂；(3)将硅片置于扩散炉中，降温至500~550℃；(4)待温度稳定后，通入N<Sub>2</Sub>和O<Sub...
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一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法，包括如下步骤：(1) 用盐酸清洗去除硅片上的铝浆；(2) 用混合酸溶液清洗去除硅片上的银浆；所述混合酸溶液为硝酸和硫酸的混合液；(3) 将步骤(2)处理后的硅片放...
张为国龙维绪王栩生
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一种用于制备单晶硅太阳电池绒面的腐蚀液
本发明公开了一种用于制备单晶硅太阳电池绒面的腐蚀液，以重量计，包括：(a)碱：1~10%；(b)硅酸钠：3~15%；(c)1,3,5-环己烷三醇：5~20%；余量为水。本发明的腐蚀液可以保证绒面大小与均匀性，制备出的绒面...
张为国王栩生孟祥熙辛国军章灵军
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一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法
本发明公开了一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)清洗去除上述阻挡层；(4)制备背极背场...
张为国王栩生章灵军
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一种N型IBC太阳能电池片的制备方法
一种N型IBC太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆，烘干并烧结；(2)将硅片放入碱液中进行腐蚀处理；(3)清洗；氧化；(4)开窗，然后采用碱液进行腐蚀处理，去除开窗区的发...
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一种用于太阳能电池片的方阻测试装置
本实用新型公开了一种用于太阳能电池片的方阻测试装置，包括支架、测试机构和载物台；所述支架上设有导轨，使测试机构具有X-Y-Z三个方向的运动自由度；所述测试机构包括测试探针，测试探针周围2~4mm的区域内设有光源；所述测试...
张为国王栩生
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一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p-n<Sup>+</Sup>结；(2)清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3)在硅片的镀膜...
张为国王栩生章灵军
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IBC太阳能电池片
1．本外观设计产品的名称：IBC太阳能电池片；;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于是太阳能发电设备中的光电转换元件，其功能是吸收光能并转换成电能，用于制备太阳能电池组件；;3．本外观设计产品的设计要点：产品的整...
张为国王栩生章灵军
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