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包健

作品数：36 被引量：3H指数：1
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 26篇电池
  • 17篇异质结
  • 14篇太阳电池
  • 12篇太阳能电池
  • 11篇体硅
  • 11篇晶体硅
  • 10篇填充因子
  • 10篇透明导电
  • 10篇发射极
  • 9篇载流子
  • 8篇钝化
  • 8篇异质结太阳电...
  • 8篇异质结太阳能...
  • 7篇电极
  • 6篇电流
  • 6篇硅薄膜
  • 5篇短路
  • 5篇短路电流
  • 5篇重掺杂
  • 5篇晶化

机构

  • 36篇常州天合光能...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 36篇包健
  • 16篇郭万武
  • 9篇陈奕峰
  • 7篇王栋良
  • 6篇杨阳
  • 5篇舒欣
  • 4篇罗彬
  • 3篇陈达明
  • 3篇张学玲
  • 3篇余冬冬
  • 2篇邓伟伟
  • 2篇陆中丹
  • 2篇杨同春
  • 1篇刘正新
  • 1篇袁声召
  • 1篇张映斌
  • 1篇张丽平
  • 1篇孟凡英
  • 1篇冯志强
  • 1篇高纪凡

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 10篇2016
  • 6篇2015
  • 8篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
本实用新型公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其中，本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上；正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上表面上；正...
包健杨同春
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掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池
本发明公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化...
包健
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具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池包括N型晶体硅衬底、正面本征非晶硅层、轻掺杂P型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面银栅极、重掺杂P型非晶硅层、背面本征非晶硅层、重掺杂N型非晶...
包健
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全背型异质结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶...
包健王栋良舒欣陈奕峰杨阳张学玲
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具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池
本实用新型提供了一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池。所述电池包括硅衬底，在硅衬底的正面由内到外依次包括扩散层、掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和正电极；在硅衬底的背面由内到外依次包括缓冲钝化层、掺杂非晶硅薄膜层、...
郭万武邓伟伟包健陈奕峰
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背接触异质结太阳电池
本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶...
包健王栋良舒欣陈奕峰杨阳张学玲
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发电量测试环境箱
本实用新型公开了一种发电量测试环境箱，包括发电量测试仪，太阳模拟光源，温度调节装置以及湿度调节装置，其特征在于：所述太阳模拟光源为卤素灯、LED灯或者两者的组合，太阳模拟光源的辐照强度通过电源的馈入强度进行调整，在太阳模...
包健徐冠超陈达明杨阳陈奕峰
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有利于减少正面栅线数目的异质结电池及其制备方法
本发明公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄膜层...
郭万武包健
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异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析被引量：3
2015年
采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si:H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si:H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随基底温度的变化规律。通过与傅里叶红外转换光谱计算得到的微结构数据对比,发现界面层的St与薄膜内部Si H和Si H2含量相关。依据高分辨率透射电镜(TEM)下呈现的形貌特征、有效少子寿命和异质结的implied开路电压等参数的辅助证明,确定SE技术作为一种有效的光学表征手段,能准确快速地判断a-Si:H对c-Si表面的钝化性能,继而定量给出适合晶体硅异质结太阳电池高质量a-Si:H钝化层生长的最优参数。
郭万武张丽平包健孟凡英陈奕峰冯志强刘正新
关键词：氢化非晶硅薄膜介电函数光电特性异质结太阳电池
有利于减少正面栅线数目的异质结电池
本实用新型公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄...
郭万武包健
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