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王子港

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇中文专利

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 23篇电池
  • 10篇晶体硅
  • 9篇太阳电池
  • 8篇太阳能
  • 8篇太阳能电池
  • 8篇晶体硅太阳能...
  • 8篇硅太阳能电池
  • 7篇载流子
  • 7篇衬底
  • 5篇光致
  • 5篇硅衬底
  • 5篇硅太阳电池
  • 4篇电极
  • 4篇钝化
  • 4篇钝化层
  • 4篇体硅
  • 4篇掺杂
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇电源

机构

  • 31篇常州天合光能...

作者

  • 31篇王子港
  • 30篇陈奕峰
  • 28篇崔艳峰
  • 9篇盛赟
  • 8篇冯志强
  • 7篇袁声召
  • 6篇杨阳
  • 5篇陈达明
  • 5篇丁志强
  • 2篇皮亚同·皮·...
  • 2篇邓伟伟
  • 2篇刘斌辉
  • 2篇张荣
  • 1篇蔡文浩

年份

  • 1篇2018
  • 10篇2017
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2012
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶体硅太阳能电池的制备工艺
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制备工艺，具有以下步骤：（1）对P型晶体硅片进行去损伤和制绒工艺，再依次进行磷扩散、后清洗工艺；（2）在硅片背面沉积5～15nm的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>钝化...
王子港
可防止组件功率降低的组件焊接装置
本发明公开了一种可防止组件功率降低的组件焊接装置，它包括：组件自动串焊机，所述组件自动串焊机具有一焊接光源；图案板，当待焊组件位于焊接工位时，所述图案板设置在焊接光源和待焊组件之间，并且图案板的图案部位为镂空状，其余为实...
崔艳峰陈奕峰王子港
体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法
本发明提供了一种用于体钝化晶体硅太阳能电池的方法，该晶体硅太阳能电池包括半导体结构以及分别位于该半导体结构的正反两面的钝化层，该半导体结构包括硼掺杂区域，该方法包括为该硼掺杂区域提供氢；在第一温度下对该晶体硅太阳能电池进...
陈奕峰崔艳峰王子港丁志强顾卫龙张荣冯志强皮尔·雅各·威灵顿
一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，通过利用扩散过程中形成的本应被刻蚀掉的硅氧化层作为阻挡层，而不需要额外沉积一层薄膜作为阻挡层，极大地优化了电池的制备工艺过程，同时有利于成本的降...
崔艳峰王子港陈奕峰
改善硼掺杂P型单晶硅电池光致衰减装置及其使用方法
本发明公开了一种改善硼掺杂P型单晶硅电池光致衰减装置及其使用方法，该装置包括箱体、光源、探针排、加热台和电源，电源的正极与加热台电性连接，电源的负极与探针排电性连接；当待处理电池放置在加热台上时，光源位于待处理电池的上方...
王子港陈奕峰崔艳峰皮尔·威灵顿
一种抗光致衰减的太阳电池烧结炉
本实用新型公开了一种抗光致衰减的太阳电池烧结炉，属于太阳电池生产技术领域，包括烧结炉本体（1）及烧结炉的冷却区（2），电池片（100）经由传送带（3）依次经过烧结炉本体（1）和冷却区（2），其特征在于：在所述冷却区（2）...
崔艳峰陈奕峰王子港丁志强施立豪顾卫龙皮尔威灵顿
一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法
本发明公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，包括硅片，其特征在于：在所述硅片正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层，石墨烯导电层和低折射率氮化硅减反层。同时，本发明还公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造...
王子港陈奕峰崔艳峰
一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，所述晶体硅太阳能电池包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极，所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧，所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金...
陈奕峰崔艳峰陈达明杨阳王子港刘成法盛赟皮尔·威灵顿冯志强皮亚同·皮·阿特玛特
晶体硅太阳能电池交替式金属前电极
本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极，该晶体硅太阳能电池交替式金属前电极包括多列主栅和多行细栅，细栅与主栅相连接，每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极和多个局域银电极；其中，局域银电极贯穿减反钝...
陈奕峰邓伟伟陈达明崔艳峰王子港刘斌辉皮尔·雅各·威灵顿冯志强
全背极太阳电池结构及其制备方法
本发明公开了一种全背极太阳电池结构及其制备方法，全背极太阳电池结构包括：电池衬底；隧穿钝化层，所述隧穿钝化层设置在电池衬底的背面上；多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺...
端伟元王子港崔艳峰杨阳陈奕峰
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