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董科研

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 3篇电池效率
  • 3篇透明导电
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇体硅
  • 2篇填充因子
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇清洗工艺
  • 2篇热氧化
  • 2篇晶体硅
  • 2篇光致
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅片
  • 2篇HIT
  • 2篇衬底
  • 1篇电池结构
  • 1篇电流
  • 1篇电阻

机构

  • 6篇常州天合光能...

作者

  • 6篇董科研
  • 4篇余冬冬
  • 3篇陆中丹
  • 3篇崔艳峰

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
具有N型/P型硅基异质结太阳能电池
本发明涉及一种具有N型/P型硅基异质结太阳能电池，是在P型/N型重掺杂非晶硅膜与正面AZO透明导电电极之间沉积一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，同时本征非晶硅层在N型/P型重掺杂非晶硅膜与背...
董科研
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异质结太阳能电池结构及其制作方法
本发明涉及一种异质结太阳能电池结构及其制作方法，该电池结构为在非晶硅层上制作TCO/Ag/TCO透明导电膜，其制作方法为在P型硅片基材背面依次制作二氧化硅层、氮化硅层、铝层，随后采用激光烧结在硅片基材背面打孔，然后在30...
董科研
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一种HIT太阳电池结构及其制作方法
本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法，在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜；在正面SiO2层上进行开孔；在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层；之后沉积AL2O3薄膜；在AL2O3薄膜上开孔；然后沉...
崔艳峰董科研余冬冬陆中丹
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一种硅基薄膜太阳能电池
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO<Sub>2</Sub>层，P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
余冬冬董科研崔艳峰陆中丹
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叠层硅基异质结太阳能电池
本发明涉及一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面沉积有nc-Si:H(i)层，nc-Si:H层正面沉积有a-Si:H(n+)层，nc-Si:H层的厚度为3～5nm，a-Si:H(n+...
董科研余冬冬
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一种HIT太阳电池结构及其制作方法
本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法，在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜；在正面SiO2层上进行开孔；在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层；之后沉积AL2O3薄膜；在AL2O3薄膜上开孔；然后沉...
崔艳峰董科研余冬冬陆中丹
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