您的位置: 专家智库 > >

权微娟

作品数:15 被引量:5H指数:2
供职机构:浙江正泰太阳能科技有限公司更多>>
发文基金:江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇电池
  • 6篇钝化
  • 5篇太阳能电池
  • 4篇太阳能
  • 3篇电极
  • 3篇钝化膜
  • 3篇硼扩散
  • 3篇硅片
  • 3篇
  • 2篇电性能
  • 2篇烧蚀
  • 2篇太阳电池
  • 2篇陶瓷
  • 2篇微波介质
  • 2篇微波介质陶瓷
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇介质陶瓷
  • 2篇晶体硅

机构

  • 13篇浙江正泰太阳...
  • 2篇南京工业大学

作者

  • 15篇权微娟
  • 9篇陆川
  • 9篇王仕鹏
  • 9篇黄海燕
  • 6篇单伟
  • 4篇牛新伟
  • 4篇韩玮智
  • 4篇李旺
  • 2篇刘敏
  • 2篇刘石勇
  • 2篇周洪庆
  • 2篇李永辉
  • 2篇王娟
  • 2篇贺海晏
  • 1篇朱海奎
  • 1篇丁建
  • 1篇吴国强

传媒

  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低介电常数微波介质陶瓷的研究进展被引量:2
2009年
介绍了四种典型的相对介电常数在10-15之间的低介微波介质陶瓷系列(Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系、R2BaCuO5系)的晶体结构和微波介电性能,并指出其目前存在的普遍问题和解决的方法。
权微娟刘敏周洪庆朱海奎
关键词:微波介质陶瓷低介电常数介电性能
一种太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P扩散,对所述硅片背面进行抛光,并生成SiO<Sub>2</Sub>层,同时去除周边P扩散层,然后去除所述硅片正面的磷...
权微娟李旺刘石勇韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
文献传递
一种具有背钝化膜的MWT电池及其制备方法
本发明公开了一种具有背钝化膜的MWT电池的制备方法,该制备方法包括:对提供的硅片进行湿法制绒;对硅片进行磷扩散或者硼扩散;对硅片的边缘和背面发射极进行刻蚀,并去除PSG或BSG;对硅片进行打孔;采用氢氟酸对硅片进行清洗;...
权微娟王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
一种MWT太阳能电池
本实用新型公开了一种MWT太阳能电池,所述MWT太阳能电池包括边长为L的正方形太阳能电池片;所述太阳能电池片被均匀划分为n×m个单元,其中n≠m;在每个单元的中心点设置有导电通孔,所述导电通孔贯穿所述太阳能电池片;所述太...
权微娟王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
硼镓共掺多晶硅背钝化太阳电池的光衰研究
2020年
研究同一小硅锭中不同部位的硼镓共掺多晶硅片制备成背钝化太阳电池后,不同的电池效率和光衰情况,并研究经过同样的抗光衰处理后这些电池的光衰情况。测试结果显示,硅锭尾部位置的硅片具有最高的电阻率、最高的氧含量、最低的硼、镓含量及最高的杂质含量。将硅锭不同位置的硅片经过量产产线制成背钝化电池后,头部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.08%,中部硅片得到的电池片的平均转换效率平均效率为19.15%,尾部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.06%。光衰结果显示,对于未经过抗光衰处理的电池片,头部和中部位置具有较低的光衰比例,而尾部位置具有较高的光衰比例;电池片经过抗光衰处理后,不同位置对应的电池片都有效率提升,继续经过光衰测试后,尾部位置出现较明显的抗光衰效果。该研究对硼镓共掺多晶硅片生产和多晶背钝化电池抗光衰工艺具有指导意义。
贺海晏权微娟单伟王仕鹏黄海燕陆川
关键词:多晶硅光衰
一种ALD成膜质量的检测方法
本发明公开了一种ALD成膜质量的检测方法,所述检测方法包括步骤:选取多个硅片作为衬底,所述硅片的电阻率在0.5Ωcm~6Ωcm;对所述硅片进行制绒,去除所述硅片表面的损伤层;对所述硅片进行清洗,并采用ALD法对所述硅片进...
权微娟单伟王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
一种高效晶硅PERC电池的制备方法
本发明公开了一种高效晶硅PERC电池的制备方法,所述制备方法包括:提供硅片,并对所述硅片进行制绒;对所述硅片进行磷扩散或者硼扩散;对所述硅片的边缘和背面发射极进行刻蚀,并去除PSG或BSG;在所述硅片的正面形成减反射层;...
权微娟单伟王娟李旺王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
一种双面电池的制备方法
本发明公开了一种双面电池的制备方法,该方法包括以下步骤:在硅片的第一表面通过等离子体增强化学气相沉积形成含硼二氧化硅层;在所述硅片的第二表面通过等离子体增强化学气相沉积形成含磷二氧化硅层;将所述硅片置于高温扩散炉中,并向...
权微娟王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
一种降低PERC太阳能电池光致衰减的方法
本发明公开了一种降低PERC太阳能电池光致衰减的烧结炉,所述烧结炉由顺序排列的至少10个温区组成;1‑3温区的温度为300‑400℃;4‑7温区的温度为400‑700℃;8、9温区的温度为800‑950℃;9温区之后的温...
权微娟单伟王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
添加V_2O_5对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷性能的影响被引量:1
2010年
采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150~1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10~90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。
权微娟刘敏周洪庆
关键词:微波介质陶瓷V2O5介电性能
共2页<12>
聚类工具0