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池田昌夫

作品数：18 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇发光
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇氮化镓
  • 5篇铟镓氮
  • 5篇二极管
  • 5篇发光二极管
  • 4篇制法
  • 4篇量子
  • 4篇空穴
  • 4篇极化效应
  • 4篇半导体
  • 3篇多量子阱
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇层结构
  • 2篇氮化镓基激光...
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻率
  • 2篇叠层

机构

  • 18篇中国科学院
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇索尼
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 18篇池田昌夫
  • 15篇杨辉
  • 15篇刘建平
  • 13篇张书明
  • 12篇张立群
  • 12篇李德尧
  • 6篇周坤
  • 5篇张峰
  • 3篇冯美鑫
  • 3篇孙钱
  • 2篇杨辉
  • 2篇刘建平
  • 2篇周宇
  • 2篇胡磊
  • 1篇李增成
  • 1篇代盼
  • 1篇谭明
  • 1篇王青松

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇中国激光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器
本发明公开了一种氮化镓基激光器限制层的制备方法、由该方法制得的氮化镓基激光器限制层以及具有该限制层的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器限制层的制备方法包括，外延生长掺杂Mg的短周期AlGaN/GaN超晶格结构，其中，仅在生...
黄思溢池田昌夫张名龙刘建平张书明杨辉
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
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具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
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GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层...
孙钱冯美鑫周宇杨辉池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群
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具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一...
张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
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多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体
本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子...
吉田浩池田昌夫内田史朗丹下贵志仓本大有持佑之杨辉陆书龙郑新和
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发光二极管及其制作方法
本发明提供一种发光二极管，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的顶部形成有外延结构，所述外延结构连接有第一电极和第二电极，所述氮化镓衬底的底部形成有凸出的微结构层。本发明提供的发光二极管及其制作方法，对氮化镓衬底的底部进行腐蚀...
胡威威张书明周坤池田昌夫刘建平杨辉
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多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体
本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12...
吉田浩池田昌夫内田史朗丹下贵志仓本大有持佑之杨辉陆书龙郑新和
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具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法
本发明公开了一种具有铝镓氮插入层的氮化镓基半导体发光器件及其制作方法，该半导体发光器件包括量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少一组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱，每组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱之间包括至少一层铝镓氮插入层...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
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低补偿p型GaN的变温霍尔研究
本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.
田爱琴张书明李德尧张立群杨辉刘建平池田昌夫李增成冯美鑫周坤温鹏雁张峰胡威威
关键词：电学特性补偿比
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共2页<12>
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