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杨国文

作品数:22 被引量:97H指数:5
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇半导体
  • 14篇激光
  • 12篇半导体激光
  • 11篇激光器
  • 10篇半导体激光器
  • 6篇芯片
  • 5篇高功率
  • 4篇功率
  • 3篇底座
  • 3篇电光
  • 3篇电光转换
  • 3篇电光转换效率
  • 3篇竖直
  • 3篇腔长
  • 3篇转轴
  • 3篇组件
  • 3篇显微镜
  • 3篇芯片测试
  • 3篇芯片载体
  • 3篇金属膜

机构

  • 22篇中国科学院
  • 6篇中国科学院大...
  • 4篇西安立芯光电...
  • 2篇学研究院
  • 1篇度亘激光技术...

作者

  • 22篇杨国文
  • 21篇王贞福
  • 11篇李秀山
  • 9篇李特
  • 4篇宋云菲
  • 3篇李波
  • 1篇陈良惠

传媒

  • 3篇中国激光
  • 3篇发光学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响被引量:2
2020年
为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和斜率效率升高,张应变会导致波长红移、阈值电流升高、功率和斜率效率降低.研究表明,影响器件内部发光点的性能不仅与热效应有关,而且与封装后残余的应变密切相关,通过应力的分布可以预测阵列性能的变化规律,可为高峰值功率、高可靠性的半导体激光阵列的研制提供参考.
李波王贞福王贞福杨国文杨国文赵宇亮李特王刚白少博
关键词:微通道光电特性
808nm/976nm高效率、高功率半导体激光芯片被引量:2
2016年
高效率、高功率半导体激光器及其抽运的全固态激光器和光纤激光器是激光系统中的核心元器件,具有体积小、重量轻、输出功率高、性能稳定和寿命长等优点,广泛应用于医疗美容、先进制造、娱乐显示、激光抽运、安全防护等领域。高功率半导体激光芯片是整个激光产业链的基石与源头,是战略新兴产业的技术核心与瓶颈。目前国内中高端半导体激光芯片主要依赖进口,市场需求旺盛,因此开展高端半导体激光芯片自主研究具有十分重要的意义。
王贞福杨国文
关键词:全固态激光器光纤激光器
高功率半导体激光阵列的高温特性机理被引量:3
2020年
高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10~80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合理论分析,给出不同温度下电光转化效率的能量损耗分布。结果表明,工作温度从10℃升高到80℃后,电光转化效率从63.95%下降到47.68%,其中载流子泄漏损耗占比从1.93%上升到14.85%,是导致电光转换效率下降的主要因素。该研究对高峰值功率半导体激光器阵列在高温应用和激光芯片设计方面具有重要的指导意义。
李波王贞福王贞福杨国文杨国文赵宇亮李特王刚白少博杜宇琦
关键词:高温微通道
消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置
本实用新型提出一种消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置。该显微镜辅助装置包括底座、旋转基体、旋转驱动机构和置物台以及置物台支架;所述底座的上表面开设有凹槽以及横穿凹槽的转轴,旋转基体通过转轴安装于所述凹槽内,能够在旋转驱...
李秀山王贞福杨国文
文献传递
808nm高功率半导体激光芯片研究
高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、高可靠性等优点,808 nm高功率半导体激光器是固体激光器(Nd:YAG)最理想的抽运源,广泛应用于工业加工、医疗美容、航空航天等领域,开展高功率半导体激光芯片自主研...
宋云菲王贞福李特杨国文
关键词:半导体激光器芯片高功率
一种半导体激光器芯片测试固定装置及其方法
本发明提出一种新的半导体激光器芯片测试固定装置及其方法,能够避免对芯片输出特性的影响,并提高芯片的散热效果。该半导体激光器芯片测试固定装置中,绝缘导热材质的芯片载体平台的上表面设置有间隔排列的多条金属膜,金属膜的长度方向...
李秀山王贞福杨国文
文献传递
一种半导体激光器bar条
本发明提出一种新的半导体激光器bar条,简单有效地解决了bar条中各发光单元有源区温度分布不均匀的问题,从而实现bar条可靠性和寿命的提高。该半导体激光器bar条,由多个发光单元集成在一起,中部区域的各发光单元间隔相对较...
李秀山王贞福杨国文
文献传递
一种半导体激光器bar条
本实用新型提出一种新的半导体激光器bar条,简单有效地解决了bar条中各发光单元有源区温度分布不均匀的问题,从而实现bar条可靠性和寿命的提高。该半导体激光器bar条,由多个发光单元集成在一起,中部区域的各发光单元间隔相...
李秀山王贞福杨国文
文献传递
808nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究被引量:15
2017年
提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40—25?C范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明:在-40?C环境温度下,最高电光转换效率从室温25?C时的56.7%提高至66.8%,内量子效率高达96.3%,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6%下降至3.1%.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.
宋云菲王贞福李特杨国文
关键词:电光转换效率温度
消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置
本发明提出一种消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置。该显微镜辅助装置包括底座、旋转基体、旋转驱动机构和置物台以及置物台支架;所述底座的上表面开设有凹槽以及横穿凹槽的转轴,旋转基体通过转轴安装于所述凹槽内,能够在旋转驱动机...
李秀山王贞福杨国文
文献传递
共3页<123>
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