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王慧丽

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇振荡器
  • 1篇低温漂
  • 1篇电容
  • 1篇振荡器设计
  • 1篇欠压
  • 1篇欠压保护
  • 1篇温度补偿
  • 1篇CMOS
  • 1篇LED驱动
  • 1篇LED驱动器

机构

  • 3篇西南交通大学

作者

  • 3篇冯全源
  • 3篇王慧丽

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种结构简单的新型CMOS欠压保护电路被引量：4
2017年
分析了两种传统欠压保护电路的工作原理及优缺点,在此基础上提出一种新颖的欠压保护电路。电路采用电流比较的方式,不依赖比较器、基准电源等辅助结构,结构简单,具有良好的独立性和稳定性;此外,有源器件中仅使用了MOS管,工艺实现容易,更便于集成。仿真结果表明,当电源电压在2.5 V^3.0 V之间变化时,电路欠压保护功能正常,并具有90 m V的迟滞,可有效防止电源电压波动引起的误触发。
王慧丽冯全源
关键词：欠压保护
带工艺修调的低温漂片内振荡器设计被引量：2
2016年
针对片内CMOS振荡器频率稳定性不高的问题,提出了一种对温度和工艺的补偿方案。基准电压在正温度电阻上产生一路负温度系数的电流,将其与带隙基准产生的PTAT电流进行叠加得到零温度系数的电流对电容充电;采用数字修调网络对电容进行修调,振荡器频率的工艺漂移被显著降低。仿真结果表明：典型工作条件下,振荡器中心频率为1 MHz,占空比为50%;当温度在-40℃~125℃范围内变化时,振荡器输出频率漂移仅为0.8%;对电容进行修调后,在三种不同的工艺角下,输出频率相对误差仅为1.23%。振荡器对温度和工艺偏差不敏感,表现出良好的稳定性。
王慧丽冯全源
关键词：振荡器温度补偿
用于LED驱动器的扩频振荡器的设计与实现被引量：1
2017年
为了解决传统LED驱动器引入的电磁干扰(EMI)问题,提出了一种具有扩频功能的片内振荡器。该电路采用频率扩展技术对时钟进行频率调制,可有效抑制电磁干扰,并具有固定频率模式(FFM)和扩频模式(FEM)两种工作模式,且固定频率时温度漂移小。采用0.18μm BCD进行了工艺仿真,结果表明:扩频模式下,振荡器的中心频率为558kHz,扩频范围为6.09%,频率抖动周期为57.8μs,EMI能量降幅高达12dB,显著降低了电磁干扰,适用于对电磁兼容(EMC)性能要求很高的特定LED驱动器中。
王慧丽冯全源
关键词：LED驱动器振荡器低温漂
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