陈延杰
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
- 2000年
- 利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 ILT3 =C由退火前的C >>1到退火后C <<1 ,退火温度越高 ,C值越小 ,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降 ,反之 ,与镓空位VGa 相关的LT3能级浓度上升。另外经 80 0℃ ,1 0min热退火后 ,在LT2 峰处出现了负瞬态 ,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸 。
- 张砚华范缇文陈延杰吴巨陈诺夫王占国
- 关键词：热退火砷化镓
- 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
- 利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2>、LT<,3>，退火后 各峰的相对强度变化很大，特别I<,L...
- 张砚华范缇文陈延杰
- 关键词：热退火砷化镓分子束外延
- 文献传递
