王京
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究被引量：1
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1%的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显著降低.掺杂带来载流子浓度的提升,为场发射提供足够的电子源,使样品的场发射性能提升.但掺杂浓度的进一步提高,薄膜缺陷增加,电子迁移率降低,其薄膜内部电子输运能力降低大于电子浓度的增加对场电子发射的贡献,导致场发射性能开始变差.
- 王京王如志赵维陈建王波严辉
- 关键词：铝镓氮场发射
