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刘建伟

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：吉林大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇化学键
  • 2篇化学键合
  • 2篇键合
  • 2篇溅射
  • 2篇AR
  • 2篇CH4
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电致发光
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇非晶

机构

  • 3篇吉林大学

作者

  • 3篇田宏伟
  • 3篇刘建伟
  • 2篇胡超权
  • 2篇郑伟涛
  • 1篇吕宪义
  • 1篇李俊杰
  • 1篇亓钧雷
  • 1篇阚东武
  • 1篇李宪洲
  • 1篇金曾孙
  • 1篇杜娟
  • 1篇苏亚东

传媒

  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碳纳米管最新性质——光学相关性被引量：9
2006年
本文对碳纳米管最新的光学性质———光致发光和电致发光进行详细讨论。光致发光方面采用红外激光激发高定向碳纳米管,观察到强烈而稳定的白炽光,通过发光曲线证明发射光谱主要由于光致发光而非热辐射所致。电致发光方面碳纳米管被做成灯丝,与普通钨丝球形灯进行发光比较,证明发光光谱为以电致发光为主,伴有热辐射的综合效应。实验结果显示碳纳米管具有优越的光致发光和电致发光特性。
杜娟李宪洲田宏伟苏亚东刘建伟阚东武亓钧雷
关键词：碳纳米管电致发光光致发光
CH4/（CH4+Ar）流量比对Ge1-xCx薄膜化学键合的影响
采用射频磁控溅射方法在纯Ar、CH4气氛中在单晶Si（100）衬底上沉积了非晶Ge1-xCx薄膜。利用傅里叶变换红外光谱（FTIR）讨论了CH4/（CH4+Ar）流量比对Ge1-xCx薄膜化学键合的影响。结果表明,当CH...
胡超权郑伟涛刘建伟田宏伟
关键词：射频磁控溅射化学键合
文献传递
CH4/（CH4+Ar）流量比对非晶Ge1-xCx薄膜化学键合的影响
本文采用射频磁控溅射方法在纯Ar、CH4气氛中在单晶Si（100）衬底上沉积了非晶Ge1-xCx薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）分别对CH4/（CH4+Ar）流量比引起的Ge1-xCx...
胡超权郑伟涛刘建伟田宏伟李俊杰吕宪义金曾孙
关键词：射频磁控溅射化学键合
文献传递
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