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季阳: 作品数：11 被引量：0H指数：0; 供职机构：南京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>

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利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(...; 徐骏陆鹏李东珂季阳钱明庆翟颖颖陈坤基; 文献传递

掺磷纳米硅-碳化硅薄膜的光电性质研究及其光伏器件应用: 能源问题是人类亟需解决的问题之一。与传统的化石能与核能相比，太阳能作为一种清洁能源，由于其具有来源广、无污染、能量巨大等优点，为人类解决能源问题提供了一条途径。基于量子点的新一代太阳能电池研究方兴未艾。在硅基量子点薄膜太...; 季阳; 关键词：磷掺杂纳米硅碳化硅光电性质; 文献传递

界面层调控和修饰对提高硅量子点/硅纳米线电致发光器件性能的研究: 寻找稳定高效的硅基光源在固态照明、平板显示、生物探测、光电互连等领域都有重要的意义。由于量子尺寸效应,硅量子点的带隙可以在可见-红外波段范围内调节,其室温发光现象也都被实验观测到。利用多层膜限制性结晶得到的硅量子点材料由...; 季阳; 关键词：硅纳米线电致发光器件银纳米颗粒; 文献传递

一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法: 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si...; 徐骏刘婧婧李东珂沐维维季阳吴仰晴林泽文陈坤基; 文献传递

一种钙钛矿/硅异质结电致发光器件及制备方法: 钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2...; 徐骏刘婧婧李东珂季阳吴仰晴林泽文陈坤基; 文献传递

激光晶化制备硅量子点/碳化硅多层膜p-i-n结构的光伏特性探索: 2017年; 对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增大,光吸收系数增强,吸收边红移,光学带隙减小.进而初步尝试了对在镀有氧化铟锡(ITO)透明导电电极的玻璃衬底上制备的基于硅量子点/碳化硅周期性多层膜的全硅量子点太阳能电池光伏性能的探索,提出利用KrF准分子脉冲激光晶化技术代替传统的高温退火技术来获得全硅量子点电池的方法,以避免长时间的高温过程对玻璃衬底和ITO膜的破坏,获得了有效面积为0.8cm2的电池.研究发现激光晶化技术制备的全硅量子点电池具有良好的整流特性,并且随着激光能量密度的增大,电池的外量子效率先增大后减小,170mJ·cm^(-2)是最佳的激光晶化能量密度,基于此条件制备的全硅量子点电池初步获得了0.16mA·cm-2的短路电流密度.; 曹蕴清曾祥华季阳翟颖颖李伟; 关键词：光伏特性

一种径向结硅量子点电致发光器件及其制备方法: 本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O<...; 徐骏陈佳明李东珂季阳张阳熠孙腾王理想; 文献传递

一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法: 一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法，以石英和单晶硅作为衬底，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层磷掺杂非晶富硅SiC薄膜，通过改变原料气甲烷(CH4)、硅烷(SiH4</S...; 徐骏刘孝龙季阳陈坤基; 文献传递

利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(...; 徐骏陆鹏李东珂季阳钱明庆翟颖颖陈坤基; 文献传递

镶嵌于非晶碳化硅中的高导电性掺杂纳米晶硅的制备与电学性能研究: 2016年; 对不同C/Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究.发现对于原始样品,随着C/Si比的减小,材料的光学带隙逐渐减小,暗电导率逐渐增大.对于1000℃退火后的样品,材料的暗电导率有了6到7个数量级的提高.随着膜中C/Si比的减小,材料中Si-C键密度逐渐减少,结晶度提高,光学带隙有所增大,多数载流子迁移率增大,暗电导率逐渐增大.此外,薄膜中组分比的改变对材料中掺杂磷原子的激活效率以及材料的电导率激活能等都会产生相应影响.随着C/Si比的减小,退火后样品的掺杂磷原子的激活效率随之改变,表现为载流子浓度先增大后减小的趋势,这与材料的结晶程度有很大的关系.退火后样品的电导率激活能随着C/Si比的减小而逐渐减小,费米能级逐渐靠近导带底,最后位于导带底甚至进入导带,使材料表现为重掺杂的特性.; 季阳单丹钱明庆李伟徐骏陈坤基; 关键词：纳米晶碳化硅电学性质