尹博文
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院过程工程研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>
- 氢气对碳化硅化学气相沉积的影响
- 本文采用热壁固定床反应器,三氯甲基硅烷-氢气为气源,研究了碳化硅材料的化学气相沉积过程,发现氢气对沉积速率有重要的影响。增加氢气浓度促进了低温段游离Si的形成,使游离Si可以在更长的停留时间内以及更宽的温度范围内沉积。在...
- 杨艳尹博文张伟刚
- 关键词：化学气相沉积碳化硅甲基三氯硅烷沉积速率固定床反应器
- 文献传递
- 堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征被引量：5
- 2008年
- 采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加.此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大.前者SiC薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到Ω级.
- 尹博文杨艳马兵张伟刚
- 关键词：化学气相沉积Β-SIC堇青石
- 化学气相沉积碳化硅结构与电性能关系的研究
- 化学气相沉积碳化硅具有许多优异的性能，可作为高温半导体、硬质耐磨涂层和抗高温氧化涂层等重要材料使用。本文采用等温等压化学气相沉积技术，分别以CH3SiCl3(MTS，Methyltrichlorosilane)-H2和S...
- 尹博文
- 关键词：化学气相沉积微观结构电性能碳化硅
