郑彧
- 作品数：27 被引量：73H指数：5
- 供职机构：北京中材人工晶体研究院有限公司更多>>
- 发文基金：北京市科技计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种弛豫铁电单晶生长用原料的制备方法
- 本申请提供了一种弛豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包括：根据化学组成，按比例称取所需的TiO<Sub>2</Sub>、MgO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>，并混合均匀，获得MNT原料；将MNT原...
- 童亚琦郑彧李辉张微王震
- 氮化硅:未来陶瓷基片材料的发展趋势被引量：9
- 2016年
- 近年来，半导体器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。大功率半导体器件在风力发电、太阳能光伏发电、电动汽车、LED照明等领域都有广泛的应用。可以说大功率半导体器件，是绿色经济的核“芯”。
- 张伟儒高崇郑彧
- 关键词：陶瓷基片BEAIN氮化硅四氮化三硅氮化物
- 一种氮化物陶瓷流延浆料及其制备的氮化物陶瓷基片
- 本发明涉及一种氮化物陶瓷流延浆料及其制备方法和应用。所述氮化物陶瓷流延浆料包括复合陶瓷粉体、混合溶剂、分散剂、增塑剂和粘结剂；其中所述粘结剂包括聚乙烯醇缩丁醛(PVB)和聚氯乙烯(PVC)，聚乙烯醇缩丁醛和聚氯乙烯的质量...
- 郑彧童亚琦张伟儒韦中华张哲
- 一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置
- 本申请实施例提供了一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置，包括坩埚和炉体，炉体包括保温侧壁和设置在保温侧壁上的加热组件，保温侧壁限定出炉体内腔，加热组件包括第一加热构件、第二加热构件和第三加热构件，第一加热构件位于第二加热构件...
- 李辉郑彧童亚琦王震代思江
- 半导体器件用陶瓷基片材料发展现状被引量：16
- 2017年
- 陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景。阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望。
- 张伟儒郑彧李正高崇童亚琦
- 关键词：半导体氮化硅陶瓷热导率
- 多孔二氧化锆基隔热材料的制备及性能被引量：3
- 2020年
- 为制备高气孔率的隔热材料,采用水基凝胶注模法制备了多孔二氧化锆基陶瓷材料。研究了干燥方式、添加氧化铝粉体、固相含量、烧结温度等因素对多孔陶瓷气孔率、密度、微观形貌等的影响,对比了低温干燥、溶液置换干燥和真空冷冻干燥三种干燥方式对低固相含量凝胶注模湿坯干燥的影响。通过实时监测坯体在高温下的烧结影像及尺寸变化,研究了二氧化锆基陶瓷的烧结收缩行为,揭示了添加氧化铝粉体对二氧化锆基陶瓷烧结收缩的抑制作用机理。结果表明真空冷冻干燥是最佳干燥工艺。添加体积分数为32%氧化铝粉体的样品的烧结收缩相比未添加氧化铝粉体的样品减少近60%。通过对固相含量、烧结温度的调配,并结合适宜的干燥工艺及添加氧化铝等手段对坯体收缩进行控制,最终获得了气孔率达到74.44%,压缩强度为3.19 MPa的多孔二氧化锆基陶瓷材料。
- 郑彧韦中华张阳张跃童亚琦张伟儒
- 关键词：隔热材料多孔陶瓷二氧化锆凝胶注模
- 一种金属陶瓷复合材料的制备方法
- 本发明公开了一种金属陶瓷复合材料的制备方法。该方法包括：(1)将泡沫SiC陶瓷按照初级破碎、二级破碎和三级破碎的程序依次进行破碎，超声清洗，烘干，得尺寸为2mm‑15mm的椭球形SiC陶瓷块；(2)将步骤(1)得到的椭球...
- 郑彧童亚琦张跃宋国强张伟儒张哲
- 一种大尺寸氧化锆基隔热材料的制备方法
- 本发明提供一种大尺寸氧化锆基隔热材料的制备方法以及采用其制得的隔热材料，该制备方法包括如下步骤：(1)将去离子水、有机单体和交联剂混合后，加入α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、ZrO<Sub...
- 张伟儒郑彧邹景良张哲韦中华李镔王腾飞
- 一种金属陶瓷复合材料的制备方法
- 本发明公开了一种金属陶瓷复合材料的制备方法。该方法包括：(1)将泡沫SiC陶瓷按照初级破碎、二级破碎和三级破碎的程序依次进行破碎，超声清洗，烘干，得尺寸为2mm‑15mm的椭球形SiC陶瓷块；(2)将步骤(1)得到的椭球...
- 郑彧童亚琦张跃宋国强张伟儒张哲
- 文献传递
- 一种用于晶体生长的铂坩埚及其制备方法
- 本申请提供了一种用于晶体生长的铂坩埚的制备方法，其包括步骤：在复合坩埚中进行铂的熔炼、浇铸成铂锭；将铂锭进行热锻，轧片，第一次退火，粗旋压，第二次退火，精旋压，第三次退火，制备得到用于晶体生长的铂坩埚。采用本申请的制备方...
- 李辉郑彧童亚琦王震
