王鹏
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：河北工业大学电气与自动化学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究
- 稀磁性半导体/(DMS/)是指在半导体化合物中，由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材料具有半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的自旋电子器件以及量子计算机中，从而引起了人...
- 王鹏
- 关键词：稀磁性半导体快速热退火铁磁性居里温度
- 文献传递
- 关于Boost型APFC电路最大功率因数的讨论被引量：6
- 2007年
- 通过分析Boost型APFC(有源功率因数校正)电路在CCM(电流连续模式)控制方式下的两种不同的工作模式,推导出主电路升压电感的数学表达式.通过理论上的分析得出该种电路的功率因数(PF)是不可能完全为一而只能近似为一的结论.又对电路做了仿真试验,分析比较了在电感取不同值时的输入电流的波形,对波形进行了傅立叶分析.为同类型电路的设计提供了很有价值的参考.
- 李永建糜晓宇凌跃胜王鹏
- 关键词：有源功率因数校正电流连续模式
- Mn注入GaAs半导体的电特性研究
- 2003年
- 用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650-850℃温度范围内,随着退火温度的升高,样品的方块载流子浓度呈下降趋势,而载流子迁移率呈明显上升的趋势.这是由于在退火过程中,随着退火温度的升高,有更多的Mn参与MnAs或MnCa相的形成,使得以受主形式存在的Mn减少,并且晶格缺陷得到恢复所致.同时进行了Mn、C双注入实验,分析了C对样品电特性的影响.
- 王鹏杨瑞霞刘芳芳李俊林
- 关键词：半绝缘砷化镓迁移率锰离子注入电特性
