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王凯
作品数:
2
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供职机构:
查尔姆斯理工大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
周海飞
中国科学院上海微系统与信息技术...
王朋
中国科学院上海微系统与信息技术...
潘文武
中国科学院上海微系统与信息技术...
张立瑶
中国科学院上海微系统与信息技术...
严进一
中国科学院上海微系统与信息技术...
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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较
2014年
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。
周海飞
龚谦
王凯
康传振
严进一
王庶民
关键词:
分子束外延
INGAP
InPBi薄膜分子束外延生长
稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入,能有效增强自旋轨道分裂,减小禁带宽度,可用于制备多种光电子器件,引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材料应变,能够有效地调节材料的发光波长.K.W...
张立瑶
潘文武
王凯
王朋
吴晓燕
崔健
张振普
岳丽
王庶民
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