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余洲

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：西南交通大学更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇中文专利

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇导线
  • 13篇超导
  • 13篇超导线
  • 13篇超导线材
  • 11篇溅射
  • 11篇SUB
  • 8篇磁控
  • 8篇磁控溅射
  • 6篇靶材
  • 4篇铜铟镓硒
  • 4篇铌
  • 4篇掺杂
  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇快冷
  • 3篇溅射沉积
  • 3篇薄膜太阳能电...
  • 3篇超导相
  • 3篇超导性
  • 3篇超导性能

机构

  • 28篇西南交通大学
  • 6篇成都欣源光伏...

作者

  • 28篇余洲
  • 22篇赵勇
  • 19篇张勇
  • 14篇刘连
  • 6篇王文涛
  • 5篇闫勇
  • 4篇晏传鹏
  • 3篇张文杰
  • 3篇羊新胜
  • 3篇郭涛
  • 1篇张磊

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu<Sub>1+x</Sub>(In<Sub>0.7-y</Sub>Ga<Sub>0.3+y</Sub>)Se<Sub>2-z</Sub>薄膜构成的n...
余洲晏传鹏张勇李珂刘斌赵勇
文献传递
一种具有优异光敏性能In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法
本发明公开了一种具有优异光敏性能In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装...
余洲郭涛闫勇赵勇
文献传递
一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法
本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu<Sub>2</Sub>ZnSnSe<Sub>4...
郭涛郑平平孙柏余洲刘连赵勇
文献传递
含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法
本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn<Sub>0.7</Sub>Ga<Sub>0.3</Sub>Se<Sub>2</Sub>靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，...
余洲晏传鹏刘连张勇李珂赵勇刘斌
轧制结合快热急冷提高Nb<Sub>3</Sub>Al超导线材载流性能的方法
本发明公开了一种轧制结合快热急冷提高Nb<Sub>3</Sub>Al超导线材载流性能的方法，涉及超导线材制备技术领域。本发明提出采用室温轧制结合快热急冷(RHQ)提高Nb<Sub>3</Sub>Al超导带材的载流性能。本...
余洲刘光彬刘连王文涛张勇赵勇
一种高载流Nb<Sub>3</Sub>Sn超导线材的制备方法
本发明提供了一种高载流Nb<Sub>3</Sub>Sn超导线材的制备方法，属于超导材料制备技术领域，所述制备方法包括：将Nb粉、Sn粉和Cu粉混匀后装入Nb管，进行减径处理，获得Nb<Sub>3</Sub>Sn前驱线材；...
余洲古晓娇任家豪刘连王文涛张勇赵勇
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu<Sub>1+x</Sub>(In<Sub>0.7-y</Sub>Ga<Sub>0.3+y</Sub>)Se<Sub>2-z</Sub>薄膜构成的n...
余洲晏传鹏张勇李珂刘斌赵勇
多次瞬时高温热处理制备高载流Nb<Sub>3</Sub>Al超导线材的方法
本发明公开了一种多次瞬时高温热处理制备高载流Nb<Sub>3</Sub>Al超导线材的方法，涉及超导材料制备技术领域。包括如下步骤：(1)将Nb/Al前驱线夹持在瞬时高温热处理装置上，进行瞬时高温热处理，而后立即在液Ga...
余洲屈鹏帅刘连王文涛张勇赵勇
一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法
本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu<Sub>2</Sub>ZnSnSe<Sub>4...
郭涛郑平平孙柏余洲刘连赵勇
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一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法
本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为In<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In<Sub>2</Sub>S...
余洲晏传鹏张勇李珂刘斌赵勇
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