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王振华
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
杨少延
中国科学院半导体研究所
刘祥林
中国科学院半导体研究所
杨安丽
中国科学院半导体研究所
魏鸿源
中国科学院半导体研究所
朱勤生
中国科学院半导体研究所
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人工晶体学报
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2010
共
2
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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)
被引量:1
2010年
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰。这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致。室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低。
王振华
杨安丽
刘祥林
魏鸿源
焦春美
朱勤生
杨少延
王占国
关键词:
ZNO
甲醇
MOCVD
生长温度
生长氧化锌薄膜材料的方法
一种生长氧化锌薄膜材料的方法,包括:选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底;选用甲醇作为氧源,二乙基锌作为锌源;将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上;将反应室抽真空后再充氮气升压,如此反复两次,以排净...
王振华
刘祥林
杨少延
杨安丽
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