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陈晓伟

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：中国兵器工业第五二研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇纳米ZNO薄...
  • 1篇俄歇分析
  • 1篇掺磷
  • 1篇掺硼

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 1篇宋淑芳
  • 1篇赵金茹
  • 1篇王文青
  • 1篇韩晓英
  • 1篇陈晓伟

传媒

  • 1篇理化检验（物...

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究被引量：9
2003年
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。
王文青陈晓伟高军韩晓英宋淑芳赵金茹
关键词：掺磷俄歇分析纳米ZNO薄膜电学性质掺硼氧化锌薄膜
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共1页<1>
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