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文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇砷化镓
  • 4篇柔性衬底
  • 4篇外延片
  • 4篇衬底
  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 2篇多结太阳电池
  • 2篇有机粘结剂
  • 2篇粘结剂
  • 2篇真空
  • 2篇真空热压
  • 2篇柔性化
  • 2篇酸溶液
  • 2篇热压
  • 2篇磷酸
  • 2篇磷酸溶液
  • 2篇耐酸
  • 2篇耐酸碱
  • 2篇金属
  • 2篇键合

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇孙强
  • 7篇刘如彬
  • 7篇张启明
  • 7篇李慧
  • 6篇王立功
  • 6篇高鹏
  • 6篇肖志斌
  • 5篇王帅
  • 4篇薛超
  • 4篇宋健
  • 4篇唐悦
  • 4篇吴艳梅
  • 4篇姜明序
  • 4篇张恒
  • 4篇王宇
  • 2篇姚立勇

传媒

  • 1篇电源技术

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序石璘张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王帅王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
文献传递
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层,18...
王帅刘如彬孙强肖志斌高鹏张启明王立功李慧
文献传递
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序石璘张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王帅王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法,在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂;有机柔性衬底为有机薄膜,外延衬底为砷化镓衬底,砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片,被两块石墨片夹紧的...
姜明序石璘姚立勇张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
文献传递
残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响
2015年
由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0eV InGaAs子电池和0.7eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系。从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响。
刘如彬孙强王帅李慧张启明
关键词:晶格失配太阳电池电池设计
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法,在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂;有机柔性衬底为有机薄膜,外延衬底为砷化镓衬底,砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片,被两块石墨片夹紧的...
姜明序石璘姚立勇张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8-1.2μm的GaAs缓冲层,18...
王帅刘如彬孙强肖志斌高鹏张启明王立功李慧
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共1页<1>
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