2025年1月19日
星期日
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
李慧
作品数:
7
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国电子科技集团公司第十八研究所
更多>>
相关领域:
电子电信
电气工程
更多>>
合作作者
张启明
中国电子科技集团公司第十八研究...
刘如彬
中国电子科技集团公司第十八研究...
孙强
中国电子科技集团公司第十八研究...
肖志斌
中国电子科技集团公司第十八研究...
高鹏
中国电子科技集团公司第十八研究...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
6篇
专利
1篇
期刊文章
领域
2篇
电子电信
1篇
电气工程
主题
6篇
砷化镓
4篇
柔性衬底
4篇
外延片
4篇
衬底
3篇
电池
3篇
太阳电池
2篇
多结太阳电池
2篇
有机粘结剂
2篇
粘结剂
2篇
真空
2篇
真空热压
2篇
柔性化
2篇
酸溶液
2篇
热压
2篇
磷酸
2篇
磷酸溶液
2篇
耐酸
2篇
耐酸碱
2篇
金属
2篇
键合
机构
7篇
中国电子科技...
作者
7篇
孙强
7篇
刘如彬
7篇
张启明
7篇
李慧
6篇
王立功
6篇
高鹏
6篇
肖志斌
5篇
王帅
4篇
薛超
4篇
宋健
4篇
唐悦
4篇
吴艳梅
4篇
姜明序
4篇
张恒
4篇
王宇
2篇
姚立勇
传媒
1篇
电源技术
年份
1篇
2019
2篇
2018
1篇
2017
2篇
2016
1篇
2015
共
7
条 记 录,以下是 1-7
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序
石璘
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王帅
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
文献传递
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层,18...
王帅
刘如彬
孙强
肖志斌
高鹏
张启明
王立功
李慧
文献传递
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序
石璘
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王帅
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法,在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂;有机柔性衬底为有机薄膜,外延衬底为砷化镓衬底,砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片,被两块石墨片夹紧的...
姜明序
石璘
姚立勇
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
文献传递
残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响
2015年
由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0eV InGaAs子电池和0.7eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系。从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响。
刘如彬
孙强
王帅
李慧
张启明
关键词:
晶格失配
太阳电池
电池设计
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法,在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂;有机柔性衬底为有机薄膜,外延衬底为砷化镓衬底,砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片,被两块石墨片夹紧的...
姜明序
石璘
姚立勇
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8-1.2μm的GaAs缓冲层,18...
王帅
刘如彬
孙强
肖志斌
高鹏
张启明
王立功
李慧
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张