张建立
- 作品数：24 被引量：43H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法
- 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清...
- 张建立杨小霞王小兰高江东李丹潘拴吴小明江风益
- 一种InGaN基黄色发光二极管结构
- 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In...
- 张建立徐龙权丁杰莫春兰王小兰刘军林江风益
- 文献传递
- 一种用于可见光通信的LED芯片结构
- 本发明公开了一种用于可见光通信的LED芯片结构，通过电极线密布排列将常规尺寸的LED芯片分隔成若干个小尺寸的子区域，缩短电流注入路径距离，使电流分布更加均匀，从而提高耐受电流密度，在保证较高光输出功率的同时实现器件的快速...
- 张建立陈寿清吴小明
- 文献传递
- 一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法
- 本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN...
- 张建立李丹王小兰高江东杨小霞吴小明江风益
- 一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法
- 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜...
- 张建立杨小霞郑畅达王小兰高江东李丹江风益
- 文献传递
- 一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆...
- 张建立全知觉刘军林
- 文献传递
- 一种全彩LED器件控制方法
- 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PW...
- 张建立杨小霞王小兰高江东李丹
- 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
- 2017年
- 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征。结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm^2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象。结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能。
- 吕全江莫春兰张建立吴小明刘军林江风益
- 关键词：硅衬底量子阱结构
- InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响被引量：4
- 2016年
- 采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED)结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响.结果显示:随超晶格厚度增加,样品的反向漏电流加剧;300 K下电致发光仪测得随着电流增加,LED发光光谱峰值的蓝移量随超晶格厚度增加而减少,但不同超晶格厚度的两个样品在300 K下的电致发光强度几乎无差异.结合高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V形坑特征分析,明确了两样品反向漏电流产生巨大差异的原因是由于超晶格厚度大的样品具有更大的V形坑和V形坑密度,而V形坑可作为载流子的优先通道,使超晶格更厚的样品反向漏电流加剧.通过对样品非对称(105)面附近的X射线衍射倒易空间图分析,算得超晶格厚度大的样品其InGaN量子阱在GaN上的弛豫度也大,即超晶格厚度增加有利于减小InGaN量子阱所受的应力.综合以上影响LED发光效率的消长因素,导致两样品最终的发光强度相近.
- 齐维靖张萌潘拴王小兰张建立江风益
- 关键词：反向漏电应力弛豫
- 硅衬底氮化镓基黄光LED外延生长与器件性能研究
- 近年来， GaN基LED发展迅速，开启了半导体照明的时代，使LED进入了人们的生活，被大众所熟悉。然而，半导体照明的普及还有很长的路要走。目前白光照明都是基于蓝光LED激发荧光粉模式，其效率较低、成本偏高且色品质不足。如...
- 张建立
- 关键词：SI衬底
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