您的位置： 专家智库 > >

池原毅

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：日本产业技术综合研究所更多>>
相关领域：机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇正锥
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激励源
  • 1篇硅镜
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇感应耦合
  • 1篇ICP

机构

  • 1篇日本产业技术...

作者

  • 1篇前田龙太郎
  • 1篇池原毅

传媒

  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
基于ICP工艺的垂直微小硅镜的加工(英文)被引量：1
2005年
利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度的增大而减小.然而,对一个宽槽来说,由于等离子区内边界层的变形,其蚀刻宽度会随着蚀刻深度的增加而增加.在许多应用中,硅蚀刻轮廓侧面的垂直状况是一个关键性问题.叙述了分离式垂直镜的加工过程;研究了影响蚀刻轮廓的各种重要参数.经过引入多步制法与优化激励源、基底偏压源及加工压力,减小了等离子区边界层内的变形,改善了轮廓的蚀刻状况.得到的结果为:120μm高垂直微镜垂直度为89.7°,200μm高垂直微镜垂直度为89.3°.
单学传前田龙太郎池原毅
关键词：反应离子刻蚀激励源ICP感应耦合正锥
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0