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常志刚

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇微波测量
  • 7篇深低温
  • 6篇输运
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米结构材料
  • 6篇表面态
  • 3篇引线
  • 3篇强磁场
  • 3篇无接触
  • 3篇无接触式
  • 3篇吸收式
  • 3篇谐振腔
  • 3篇磁输运
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇波导
  • 2篇波导管
  • 1篇电导
  • 1篇电子相互作用
  • 1篇相互作用

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 10篇林铁
  • 10篇褚君浩
  • 10篇常志刚
  • 9篇徐勇刚
  • 9篇俞国林
  • 9篇吕蒙
  • 6篇刘新智
  • 6篇孙雷
  • 3篇戴宁
  • 1篇沈波
  • 1篇唐宁
  • 1篇王威
  • 1篇李小娟
  • 1篇段俊熙
  • 1篇商丽燕
  • 1篇韦尚江
  • 1篇韩奎
  • 1篇周文政

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
本实用新型公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微波...
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一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
本发明公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微波导入...
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用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔
本实用新型公开了一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，反射式谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。反射式谐振腔的主要特征在于利用同轴...
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无接触式低温磁输运测试的样品杆
本实用新型公开了一种无接触式低温磁输运测试的样品杆，它用于深低温强磁场下对固体材料电学性质进行微波测量。样品杆由头顶盒、波导管、引线管、同轴电缆及转接口、测试引线及插座、支架盘片、底部固定架和谐振腔等组成，其主要特征在于...
徐勇刚俞国林吕蒙常志刚林铁戴宁褚君浩
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一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔
本发明公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，反射式谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。反射式谐振腔的主要特征在于利用同轴电...
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一种无接触式低温磁输运测试的样品杆
本发明公开了一种无接触式低温磁输运测试的样品杆，它用于深低温强磁场下对固体材料电学性质进行微波测量。样品杆由头顶盒、波导管、引线管、同轴电缆及转接口、测试引线及插座、支架盘片、底部固定架和谐振腔等组成，其主要特征在于同时...
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一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔
本发明公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，反射式谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。反射式谐振腔的主要特征在于利用同轴电...
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一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
本发明公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微波导入...
吕蒙俞国林徐勇刚常志刚刘新智林铁孙雷褚君浩
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一种无接触式低温磁输运测试的样品杆
本发明公开了一种无接触式低温磁输运测试的样品杆，它用于深低温强磁场下对固体材料电学性质进行微波测量。样品杆由头顶盒、波导管、引线管、同轴电缆及转接口、测试引线及插座、支架盘片、底部固定架和谐振腔等组成，其主要特征在于同时...
徐勇刚俞国林吕蒙常志刚林铁戴宁褚君浩
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GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结二维电子气的磁电阻研究
2012年
通过对GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.
王威周文政韦尚江李小娟常志刚林铁商丽燕韩奎段俊熙唐宁沈波褚君浩
关键词：二维电子气磁电阻电子相互作用
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