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曾繁安

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇本性
  • 1篇ASGA
  • 1篇EPR
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS材料
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇汪光裕
  • 1篇冯平义
  • 1篇曾繁安

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
1989年
本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。
汪光裕冯平义邹元爔曾繁安
关键词：GAASASGAEPR
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共1页<1>
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