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王文静

作品数：14 被引量：33H指数：4
供职机构：齐鲁师范学院物理与电子工程学院更多>>
发文基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇巨磁阻
  • 10篇巨磁阻抗
  • 10篇巨磁阻抗效应
  • 10篇磁阻
  • 10篇磁阻抗
  • 4篇铁基
  • 4篇铁基合金
  • 4篇基合金
  • 4篇合金
  • 3篇退火
  • 2篇单层膜
  • 2篇多层膜
  • 2篇趋肤效应
  • 2篇共轭
  • 2篇共轭聚合物
  • 1篇导体
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇软磁
  • 1篇软磁性能

机构

  • 10篇山东大学
  • 7篇齐鲁师范学院
  • 4篇台州学院
  • 1篇山东建筑大学
  • 1篇佐治亚理工学...
  • 1篇山东省教育学...
  • 1篇泰安师范附属...

作者

  • 14篇王文静
  • 8篇袁慧敏
  • 7篇萧淑琴
  • 4篇姜山
  • 3篇颜世申
  • 3篇刘宜华
  • 3篇陈卫平
  • 3篇姬长建
  • 2篇代由勇
  • 2篇李娟
  • 2篇张成强
  • 1篇刘德胜
  • 1篇高琨
  • 1篇于元勋
  • 1篇李元
  • 1篇袁晓娟
  • 1篇刘毅
  • 1篇冯素华

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇金属学报
  • 2篇电子技术（上...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇山东教育学院...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇齐鲁师范学院...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响被引量：5
2005年
用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜 .研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响 .用电子探针显微镜测量发现 ,当溅射功率为 2 4 0W时 ,薄膜样品中Fe的原子含量为 87 32 % ,Cu的原子含量为 2 9% .这种样品的矫顽力最小 ,为 6 8A m ,饱和磁化强度约为 1 11× 10 5A m ,软磁性能最佳 ,巨磁阻抗效应最大 ,溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为 17% ,横向为 11% .重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有效磁导率随频率的变化 ,得到在低频下主要是磁电感效应 ,此时磁导率对电感分量的变化起重要作用 .
王文静萧淑琴刘宜华陈卫平代由勇姜山袁慧敏颜世申
关键词：铁基合金薄膜生长巨磁阻抗效应
共轭聚合物中受激吸收与受激辐射的量子动力学研究被引量：1
2014年
基于扩展的一维SSH紧束缚模型结合非绝热的分子动力学方法,理论研究了共轭聚合物分子(PPV)在光脉冲作用下受激吸收和受激辐射的量子动力学过程.首先,设定分子初始处于基态,讨论了受激吸收过程中不同的电子受激跃迁模式与光激发脉冲的关系.通过对终态的分析,发现分子受激后只能产生电子-空穴的束缚态,包括:激子、双激子和高能激子.计算了各种激发态的产率,特别是,给出了各种激发态产率与光激发能量的定量关系.此外,基于实验,分别讨论了光激发强度对高能激子和双激子产率的影响,并与实验结果进行了比较.最后,设定分子初始分别处于激子和双激子态,研究了分子内定域能级之间的受激辐射过程,并简单讨论了激子和双激子受激辐射与光激发能量及强度的关系.
王文静孟瑞璇李元高琨
关键词：受激辐射激子
沉积态(Fe_(88)Zr_7B_5)_(0.97)Cu_(0.03)软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应被引量：4
2004年
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13 MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17％,最大横向磁阻抗比为11％,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性.
陈卫平萧淑琴王文静刘宜华
关键词：软磁性能趋肤效应巨磁阻抗效应
不同退火过程对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响被引量：2
2010年
用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04非晶软磁合金薄膜.研究了不同退火条件对其巨磁阻抗(GMI)效应的影响.该样品在自然退火和电流退火热处理后,纵向GMI比下降,并随退火电流的增加而增加,在电流为800mA时达到最大值17%,磁场灵敏度相对于未退火样品的4%(kA/m)-1有所提高,达到7%(kA/m)-1.(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04薄膜经不同温度下纵向磁场退火处理后,样品的纵向和横向GMI比均有所提高,在250℃获得最大的GMI比,13MHz时,最大纵向磁阻抗比达到17.5%,表现为单峰;横向磁阻抗比曲线变为双峰结构,在±0.4kA/m的磁场下,出现峰值为17.8%。
王文静袁慧敏萧淑琴
关键词：铁基合金巨磁阻抗效应
FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应被引量：9
2006年
用射频溅射法制备了Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9单层膜和结构为(F/S)3/M/(F/S)3的多层膜,在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能,降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后,发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应,单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%,多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化,发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率,和较大的磁阻抗变化率,而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场.
王文静袁慧敏姜山萧淑琴颜世申
关键词：铁基合金多层膜巨磁阻抗效应
加磁场制备FeCuNbSiB软磁合金薄膜的畴结构和巨磁阻抗效应被引量：1
2013年
本文研究了用射频溅射法制备的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析.探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响.在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am-1降为60Am-1,磁阻抗效应有较大提高.加横向磁场制备的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜.经300°C退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38%,横向磁阻抗比为27%,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47.5%/kAm-1和11.3%/kAm-1.
王文静袁慧敏李娟姬长建代由勇萧淑琴
关键词：铁基合金巨磁阻抗效应磁各向异性
FeZrB及FeZrBCu软磁合金薄膜的巨磁阻抗效应
用射频溅射法制备了FeZrB、(FeZrB)Cu和(FeZrB)Cu非晶软磁合金薄膜。研究了掺杂不同原子百分比的Cu对FeZrB软磁合金巨磁阻抗(GMI)效应的影响,未掺Cu的FeZrB制备态薄膜几乎无GMI效应,而掺C...
王文静萧淑琴陈卫平袁慧敏姜山武震宇刘宜华颜世申
文献传递
FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究被引量：6
2005年
研究了结构为(FM SiO2)3Ag(SiO2FM)3多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的FM≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方向施加约72kA m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在8.5MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB Ag FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.
陈卫平萧淑琴王文静姜山刘宜华
关键词：多层膜巨磁阻抗效应趋肤效应
稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究被引量：2
2010年
利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的(Ga,Mn)As材料提供了可能性.
姬长建张成强冯素华王文静
关键词：分子束外延X射线衍射居里温度
制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应被引量：3
2006年
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/ReZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz；在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．
袁慧敏姜山王文静颜世申萧淑琴
关键词：巨磁阻抗效应掺杂
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