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张准
作品数:
12
被引量:2
H指数:1
供职机构:
深圳大学
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发文基金:
深圳市科技计划项目
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
贺威
深圳大学电子科学与技术学院
贺凌翔
深圳大学
骆盛
深圳大学
吴庆阳
深圳大学
刘毅
深圳大学电子科学与技术学院
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张准
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贺威
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吴庆阳
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贺凌翔
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孙瑞泽
1篇
曹建民
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刘毅
传媒
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固体电子学研...
年份
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2020
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2019
6篇
2017
1篇
2016
共
12
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界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响
被引量:2
2016年
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的变化情况,并同时考虑了不同漏极偏置的影响;为了探究其变化机制,还提取和比较了一些特殊情况下器件的表面势。这些研究有助于明确器件哪些位置的界面电荷对阈值电压漂移影响更大,这对深刻理解带漏极偏置的负偏压温度不稳定性效应有一定的帮助和促进。
孙瑞泽
刘毅
张准
贺威
曹建民
关键词:
负偏压温度不稳定性
界面电荷
一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、置位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
贺凌翔
张准
骆盛
吴庆阳
文献传递
纳米CMOS器件多阱工艺单粒子效应机理研究
中国航天科技的快速发展驱动集成电路系统在航空航天领域中有着广泛的应用,芯片制造工艺的特征尺寸不断缩小使得空间高能粒子辐射引发的单粒子效应成为干扰航天控制系统稳定性的主要因素。随着CMOS器件工艺进入到纳米尺寸时电路节点的...
张准
关键词:
电荷收集
文献传递
一种抗单粒子翻转的异步置位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的异步置位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、置位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
贺凌翔
张准
骆盛
吴庆阳
一种抗单粒子翻转的异步复位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的异步复位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、复位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
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吴庆阳
一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、置位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
贺凌翔
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文献传递
一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、复位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
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吴庆阳
一种抗单粒子翻转的D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存器。相较于现有技术,本发明...
贺威
贺凌翔
张准
骆盛
吴庆阳
一种抗单粒子翻转的异步置位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的异步置位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、置位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
贺威
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张准
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一种抗单粒子翻转的异步复位D触发器
本发明适用于D触发器技术领域,提供了一种抗单粒子翻转的异步复位D触发器。该D触发器包括:时钟信号输入电路、复位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器,主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存...
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