王雄龙
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
- 2020年
- 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至表面完全被覆盖。从反应机理分析了Ge单晶抛光片表面可能发生的化学反应。通过X射线光电子能谱(XPS)验证了Ge单晶抛光片表面的价态发生了变化,发现Ge单晶抛光片表面发生了氧化反应。从环境因素入手,分析了净化等级和化学氛围对Ge单晶抛光片表面质量的影响,确定了Ge单晶抛光片的存放环境,保证了Ge单晶抛光片的交付可靠性。
- 杨洪星王雄龙索开南杨静陈晨
- 关键词：抛光片
- 碳化硅微粉在多线切割中的应用
- 2016年
- 对多线切割过程,碳化硅微粉的性质和标准进行了介绍,描述了碳化硅微粉在多线切割过程中的作用,讨论了砂浆的配制方法及注意事项;由于砂浆的成本在整个切割过程中占据了相当大的一部分,因此如何降低砂浆的成本是一个热点问题;根据硅片生产厂家的实践发现,使用一定比例的回收碳化硅微粉能够降低生产成本,同时对硅片表面质量影响较小,并且有利于环境保护,因此具有可行性。
- 王雄龙
- 关键词：碳化硅微粉砂浆
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究被引量：1
- 2018年
- 钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤5μm,局部平整度(LTV)≤1.5μm,局部平整度合格比例(PLTV)≥95%,翘曲度(Warp)≥20μm,弯曲度(Bow)≤10μm,达到了商用钽酸锂单晶片的技术水平。
- 杨洪星王雄龙杨静范红娜李明佳
- 关键词：钽酸锂化学腐蚀研磨抛光
- 锗单晶片边缘损伤影响因素分析被引量：1
- 2017年
- 新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切。从单晶质量控制、滚圆及参考面制作出发,对锗片边缘质量的影响因素进行了分析,并提出相应的解决措施,提升了超薄锗片的边缘完整性。
- 杨洪星王雄龙何远东
- 关键词：锗圆度
- SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
- 2018年
- 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。
- 张伟才王雄龙杨洪星杨静李明佳
- 关键词：粒径
- 一种玻璃通孔晶片的研磨加工工艺
- 2021年
- 以玻璃通孔(TGV)晶片在减薄过程中出现的边缘破损问题为研究点,对减薄工艺展开了深入研究。通过优化研磨工艺参数,实现了对覆盖TGV晶片表面的硅层及玻璃层的选择性控制,使研磨后的晶片厚度提升至350μm以上,晶片完好无破损;通过增加磨削过程实现多余硅层的去除,有效避免了研磨过程中晶片与游星轮边缘的重复撞击对晶片造成的损伤。通过采取上述减薄方式,TGV晶片的边缘得到很好的保护,经过抛光验证,TGV晶片的边缘无破裂。分别采用微分干涉显微镜及白光干涉仪对TGV晶片的边缘及表面粗糙度进行观察与测试,结果表明,TGV晶片边缘光滑、平整,无破损,表面粗糙度为4.24 nm,满足后续使用要求。
- 杨静王雄龙韩焕鹏张伟才
- 关键词：表面粗糙度阳极键合
- MEMS用硅片的磨削工艺研究被引量：1
- 2018年
- 基于MEMS用硅片的特点,分析了自旋转磨削工艺对其加工的影响。分别从磨料粒度、主轴转速、砂轮轴向进给速度几个方面对MEMS用硅片的磨削工艺参数进行了优化设计。结果表明,磨料粒度大小直接影响磨削硅片表面的粗糙度,随着磨料粒度的减小,硅片表面的粗糙度数值大幅度降低;此外,磨料粒度与主轴转速都是影响磨削热产生的因素,磨料粒度、主轴转速设置不当均易导致"焦片"现象的出现;砂轮轴向进给速度影响硅片表面的损伤层深度,轴向进给速度越小,后续抛光过程所需去除量越小,表明硅片表面引入的损伤深度越小。
- 杨静王雄龙韩焕鹏杨洪星李明佳张伟才
- 关键词：磨料粒度主轴转速进给速度
