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张绪强

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：宁波大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 18篇延时
  • 18篇功耗
  • 10篇反相器
  • 10篇触发器
  • 9篇电路
  • 4篇读操作
  • 4篇读写
  • 4篇时钟控制
  • 4篇锁存
  • 4篇锁存器
  • 4篇写操作
  • 2篇电路结构
  • 2篇信号控制
  • 2篇异或
  • 2篇时钟
  • 2篇输出电路
  • 2篇输入端
  • 2篇全加器
  • 2篇消除电路
  • 2篇逻辑功能

机构

  • 19篇宁波大学

作者

  • 19篇张绪强
  • 18篇胡建平
  • 2篇邬杨波

年份

  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于 FinFET 器件的异或/同或门电路
本发明公开了一种基于FinFET器件的异或/同或门电路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管均...
胡建平张绪强
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一种基于FinFET器件的读写分离存储单元
本发明公开了一种基于FinFET器件的读写分离存储单元，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，第一Fin...
胡建平张绪强
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一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器
本发明公开了一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器...
胡建平马天放张绪强
基于FinFET器件的逻辑电路设计
随着晶体管尺寸的不断缩小，当传统 CMOS晶体管的尺寸缩小到20nm以下时，一方面器件的漏电流会急剧加大，漏功耗所占总功耗的比例变大;另一方面电路短沟道效应变得更加明显，影响器件的阈值电压和亚阈值摆幅等，极大的限制了电路...
张绪强
关键词：双阈值逻辑电路设计
一种基于FinFET器件的一位全加器
本发明公开了一种基于FinFET器件的一位全加器，包括求和输出电路和进位输出电路，求和输出电路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第...
胡建平张绪强
文献传递
一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器
本发明公开了一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器，包括第一反相器和第二反相器构成的时钟控制部分，第三反相器、第四反相器、第一FinFET管和第二FinFET管构成的主锁存器以及第五反相器、第六反相器、第三FinFE...
胡建平张绪强
一种基于FinFET器件的存储单元
本发明公开了一种基于FinFET器件的存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，第一FinFET管、第二Fi...
邬杨波张绪强胡建平
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一种基于FinFET器件的脉冲触发器
本发明公开了一种基于FinFET器件的脉冲触发器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器、第...
胡建平张绪强
一种基于FinFET器件的一位全加器
本发明公开了一种基于FinFET器件的一位全加器，包括求和输出电路和进位输出电路，求和输出电路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第...
胡建平张绪强
文献传递
一种基于FinFET器件的异或/同或门电路
本发明公开了一种基于FinFET器件的异或/同或门电路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管均...
胡建平张绪强
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