- 一种精确测量位置与位置变化的装置和方法
- 本发明公开了一种精确测量位置与位置变化的装置和方法，所述测量装置包括光源、透明导电层、光敏电阻层、电阻层、电压表和电源。一种基于所述的精确测量位置与位置变化装置的测量方法，当光源照射到透明导电层上时，光源通过透明导电层到...
- 宁舒雅李亭亭孙立蓉牟强王江南聂屈洋刘晋红张婵婵
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- 一种精确检测物体平面投影的装置和方法
- 本发明公开了一种精确检测物体平面投影的装置和方法，当平行光通过物体照射到透明导电层时，光通过透明导电层到达光敏电阻层，光敏电阻层受光后阻值急剧减小，使光照处透明导电层与导电层导通，则透明导电层上的光点对应位置的电平即为导...
- 宁舒雅王江南孙立蓉张方辉李亭亭聂屈洋
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- 一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法
- 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法，包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜，将...
- 范应娟孙立蓉张方晖郑伟兵李亭亭王江南聂屈洋刘晋红
- 一种测量量子点的发光光谱随温度变化规律的装置及方法
- 本发明提供一种测量量子点的发光光谱随温度变化规律的装置及方法，装置包括蓝光或紫外LED照明光源，设置在蓝光或紫外LED照明光源上的空心圆柱体，设置在空心圆柱体中间的镀有量子点薄膜的透明薄片，环绕在空心圆柱体上的电阻丝，内...
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- 一种图形化量子点LED封装器件
- 本实用新型提供了一种图形化量子点LED封装器件：包括散热基板、固定在散热基板上的多个LED芯片、将多个LED芯片连接在一起的连接引线、涂刷在散热基板上并覆盖LED芯片的量子点层、涂覆在量子点层上的硅胶封装层，以及自LED...
- 范应娟孙立蓉张方辉张麦丽袁桃利宋得瑞李亭亭张婵婵
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- 一体化量子点LED植物生长灯及其制备方法
- 本发明提供了一种一体化量子点LED植物生长灯及其制备方法：所述植物生长灯包括铝基板、固晶于铝基板上的LED芯片组、起固晶作用的导热粘结胶、铝基板上的铜箔电路、铜箔电路上用于固定金线的镀银电极、涂覆在LED芯片组之上的红色...
- 范应娟孙立蓉张方辉张麦丽袁桃利宋得瑞李亭亭张婵婵
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- 绿色磷光OLED热电击穿特性的研究
- 2018年
- 制备了结构为ITO/MoO3(40nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:Ir(ppy)2acac(14%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿色磷光有机电致发光器件(OLED),通过测量不同电压下器件的亮度、温度、电流和效率等参数,利用瓦格纳热击穿理论和空间电荷限制电流模型等理论对器件的热电击穿特性进行了分析和实验研究,进而找到提高OLED寿命的方法。结果表明,在电压较小时,随着时间的增加,器件的温度基本稳定在20℃,器件的亮度基本稳定在80~400cd/m2,器件的电流效率基本稳定在40~60cd/A。在电压较高时,随着时间的增加,器件的温度在114s内由22.16℃上升到35.91℃,器件的亮度在193s内由17 380cd/m2降低到7 585cd/m2,器件的电流效率在106s内由0.122 208cd/A降低到0.054 515 2cd/A。原因为,电压较小时,载流子获得能量较少,迁移速度较为缓慢,使得器件电流较小,产热少,热量能够及时散发出去;而当电压较高时,获得足够能量的电子和空穴运动加剧,器件内部的电流也急剧增大,产热大于散热,温度升高较快,器件最终出现了热电击穿,使其性能出现衰减。这表明,OLED的散热对其击穿有着非常重要的影响,良好的散热条件能够降低器件热电击穿现象发生的概率,进而提高OLED的寿命。
- 李亭亭张方辉杜帅
- 一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法
- 本发明提供了一种超净室用纯黄光LED灯及其制备方法，包括支架、固晶于支架上的LED芯片、起固晶作用的导热粘结胶、涂覆在LED芯片上的荧光粉层、涂覆在荧光粉层上的填充硅胶封装层及包裹住填充硅胶封装层并实现配光的塑料透镜，将...
- 范应娟孙立蓉张方晖郑伟兵李亭亭王江南聂屈洋刘晋红
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- 一种增大视野的车辆外后视镜
- 本实用新型提供了一种增大视野的车辆外后视镜，外后视镜是由两个镜头组成，主要包括：镜头模块、支架模块及转向模块。本实用新型中的两个镜头是由具有一定夹角的支架构成，夹角范围可控制为0度到90度，两个镜头的转向都是电动调节，其...
- 张方辉张婵婵孙立蓉刘晋红聂屈洋李亭亭王江南
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- 一种透明OLED合金阴极及其制备方法和透明OLED器件
- 本发明提供了一种透明OLED合金阴极及其制备方法和透明OLED器件，该合金阴极为Ag、Al合金。Ag、Al金属按质量比例按Ag：Al＝75‑80％：25‑20％混合，且Ag、Al合金的最佳厚度为75nm；Ag、Al金属采...
- 张方辉刘晋红孙立蓉张婵婵聂屈洋李亭亭王江南
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