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徐坚

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中原工学院更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇真空烧结
  • 2篇真空烧结炉
  • 2篇烧结炉
  • 2篇烘干
  • 2篇高温抗氧化
  • 1篇压坯
  • 1篇水淬
  • 1篇污泥
  • 1篇废水
  • 1篇废水污泥
  • 1篇SUB
  • 1篇B/S
  • 1篇MOSI
  • 1篇MOSI2
  • 1篇瓷料

机构

  • 3篇中原工学院

作者

  • 3篇范积伟
  • 3篇张小立
  • 3篇孙斌
  • 3篇徐坚
  • 2篇樊平
  • 2篇杨亚伟
  • 1篇刘芳
  • 1篇刘英
  • 1篇张留学
  • 1篇李世显

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种MoSi<Sub>2</Sub>/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法
本发明公开了一种MoSi<Sub>2</Sub>/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi<Sub>2</Sub>、SiC、C及B<Sub>4</Sub>C元素粉球磨混料，混合时间为8‑72...
张小立徐坚杨亚伟孙斌范积伟樊平
文献传递
一种低温复烧添加SiC制备高污泥含量污泥陶瓷的方法
本发明公开了一种低温复烧添加SiC制备高污泥含量污泥陶瓷的方法，它的步骤如下：（1）将自来水厂废水污泥烘干，然后球磨12‑24小时，得到混合料；（2）在混合料中加入SiC粉末，球磨混合均匀，然后加入聚丙烯酰胺混合液压制成...
张小立徐坚杨久豹李世显孙斌刘芳范积伟张留学刘英余智化刘应存
文献传递
一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法
本发明公开了一种MoSi<Sub>2</Sub>/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi<Sub>2</Sub>、SiC、C及B<Sub>4</Sub>C元素粉球磨混料，混合时间为8-72...
张小立徐坚杨亚伟孙斌范积伟樊平
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