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邱峰

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学政治法律经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 3篇红外
  • 2篇电子注入
  • 2篇电子注入层
  • 2篇有机电子
  • 2篇锗量子点
  • 2篇上转换器件
  • 2篇转换器件
  • 2篇析出相
  • 2篇离子束
  • 2篇量子点
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴注入
  • 2篇空穴注入层
  • 2篇溅射
  • 2篇矫顽力
  • 2篇掺杂
  • 2篇掺杂量
  • 2篇磁饱和
  • 2篇磁矩
  • 1篇载流子

机构

  • 9篇云南大学
  • 1篇斯威本科技大...
  • 1篇上海电力大学

作者

  • 9篇邱峰
  • 8篇王茺
  • 7篇杨杰
  • 7篇王荣飞
  • 6篇杨宇
  • 4篇张瑾
  • 1篇刘静
  • 1篇龙佳

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比Mn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>1‑x</Sub>量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提...
王茺童浩辰王荣飞段潇萧叶书鸣杨杰邱峰何薪鹏
纳米盘光子晶体增强Si^(+)/Ni^(+)离子共注入SOI的光致发光
2021年
报道了一种在Si^(+)/Ni^(+)离子共注入绝缘体上硅(SOI)基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法。通过时域有限差分法(FDTD)设计出具有荧光增强效应的光子晶体结构金属膜,利用Langmuir-Blodgett(LB)方法在Si^(+)/Ni^(+)离子共注入SOI上排列一层聚苯乙烯(PS)小球,接着沉积一层Au薄膜,然后用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻技术在SOI晶片顶部形成了纳米盘状的刻蚀Au光子晶体。光致发光(PL)实验表明光子晶体的引入有效增强了缺陷Si薄膜在近红外波段的发光效率。这种工艺简单、成本低且发光增益高的光子晶体在硅基集成光子学上具有重要的应用前景。
童浩辰唐淑敏叶书鸣段潇潇李晓南谢继阳张璐然杨杰邱峰王荣飞文小明杨宇崔昊杨王茺
关键词：红外物理光致发光绝缘体上硅光子晶体
海外投资保险视角下的境外投资项目政治风险防范策略研究
近年来我国对外投资规模在不断扩大,投资总量仅次于美国,列全球第二位。随着我国“一带一路”建设的提出,不同行业中很多企业都积极参与到国际市场。许多境外投资项目金额大、期限长,关系到东道国的国计民生,更容易遭受政治风险影响。...
邱峰
关键词：海外投资保险境外投资项目政治风险
文献传递
一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比Mn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>1‑x</Sub>量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提...
王茺童浩辰王荣飞段潇萧叶书鸣杨杰邱峰何薪鹏
文献传递
一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法
本发明涉及一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，属于纳米结构制备技术领域。具体包括：将硅片清洗后，使硅片表面氢钝化；在硅片上自组装单层密排聚苯乙烯纳米球薄膜，然后利用正入射的Ar<Sup>+</Sup>离子束轰击不...
杨杰杨宇王茺张明灵翁小康王荣飞邱峰
文献传递
一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法
本发明公开了一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法。本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体G...
杨宇邱峰李辉松王茺王荣飞杨杰张瑾
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一种温控表显温度与材料生长温度间偏差的校订方法
本发明目的在于提供一种材料生长设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于为各种溅射设备配置的加热控温系统。该方法利用金属在一定条件下具有已知固定熔点的特性，将金属薄片挤压贴合于基片表面，通过加热系统...
杨宇舒启江王荣飞王茺龙佳刘静杨杰邱峰张瑾
文献传递
Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法
本发明属于复合材料制备技术领域，提供了一种Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法，采用离子束溅射法制备Si基Ge掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤：将Si基石墨烯基片放入生长室，抽真空后通过Ge沉积（200~800℃）、退...
杨宇张瑾邱峰王茺童领
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一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法
本发明公开了一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法。本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体G...
杨宇邱峰李辉松王茺王荣飞杨杰张瑾
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