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张高洁

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 9篇电池
  • 7篇晶体硅
  • 5篇太阳能
  • 5篇太阳能电池
  • 5篇晶体硅电池
  • 5篇硅电池
  • 4篇掺杂
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇性能参数
  • 2篇数据分析
  • 2篇硼掺杂
  • 2篇硼硅玻璃
  • 2篇去杂
  • 2篇磷掺杂
  • 2篇铝元素
  • 2篇晶体硅太阳能...
  • 2篇扩散

机构

  • 10篇苏州阿特斯阳...

作者

  • 10篇王栩生
  • 10篇张高洁
  • 9篇邢国强
  • 6篇吴坚
  • 3篇万松博
  • 2篇刘运宇

年份

  • 1篇2019
  • 5篇2017
  • 4篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，包括如下步骤：(1)将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；(2)将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；(3)再次采用四...
张高洁王栩生万松博邢国强
文献传递
一种基于数据分析的晶体硅电池生产过程监控方法
一种基于数据分析的晶体硅电池生产过程监控方法，包括以下步骤：对连续生产得到的电池成品进行测试，测试得到的各性能参数分成复数个子组；第一步：计算每个子组各性能参数的标准偏差和/或观察各性能参数的频率分布图，标记出异常参数；...
张高洁吴坚王栩生邢国强
一种Suns‑Voc测试装置
一种Suns‑Voc测试装置，包括测试平台，还包括至少一个测试探针排，每个测试探针排包括一导电基板，导电基板上设置有至少两根测试探针，各测试探针在同一直线上间隔布置；所述导电基板上测试探针分布方向的两端与所述测试平台之间...
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一种N型背结太阳能电池的制作方法
本发明公开了一种N型背结太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：1)碱抛光：利用碱溶液对N型硅片的背面进行碱抛光处理；2)硼掺杂：对N型硅片的背面进行硼掺杂处理，以形成p<Sup>+</Sup>发射层，控制N型硅片的背面表面...
张高洁刘运宇吴坚王栩生邢国强
晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池
本发明涉及一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅...
张高洁吴坚王栩生邢国强
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一种N型背结太阳能电池的制作方法
本发明公开了一种N型背结太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：1)碱抛光：利用碱溶液对N型硅片的背面进行碱抛光处理；2)硼掺杂：对N型硅片的背面进行硼掺杂处理，以形成p<Sup>+</Sup>发射层，控制N型硅片的背面表面...
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晶体硅电池的表面结构、晶体硅电池片及太阳能电池
本实用新型公开了一种晶体硅电池的表面结构、包括该表面结构的晶体硅电池以及太阳能电池。晶体硅电池的表面结构，包括受光面，所述受光面包括与电极接触的接触区域和未与电极接触的非接触区域，所述接触区域为纳米绒面结构，所述非接触区...
张高洁王栩生万松博邢国强
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一种基于数据分析的晶体硅电池生产过程监控方法
一种基于数据分析的晶体硅电池生产过程监控方法，包括以下步骤：对连续生产得到的电池成品进行测试，测试得到的各性能参数分成复数个子组；第一步：计算每个子组各性能参数的标准偏差和/或观察各性能参数的频率分布图，标记出异常参数；...
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晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池
本发明涉及一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅...
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一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，包括如下步骤：(1)将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；(2)将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；(3)再次采用四...
张高洁王栩生万松博邢国强
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