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文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇单晶
  • 7篇SUB
  • 6篇厘米级
  • 4篇晶体
  • 3篇气相生长
  • 3篇紫外
  • 3篇紫外可见
  • 3篇近红外
  • 3篇近红外光
  • 3篇晶体生长
  • 3篇红外
  • 3篇红外光
  • 2篇电器件
  • 2篇压电
  • 2篇压电器件
  • 2篇真空密封
  • 2篇熔点
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电材料
  • 2篇铁电单晶

机构

  • 10篇中国科学院福...

作者

  • 10篇王国强
  • 6篇郭国聪
  • 6篇姜小明
  • 4篇陈玲
  • 4篇吴新涛
  • 4篇吴立明
  • 2篇徐忠宁
  • 2篇王观娥
  • 2篇曾卉一

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2016
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的气相生长方法、晶体生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>多晶原料、传输剂和单斜相Ga<Sub>2</Sub...
郭国聪王国强刘彬文姜小明
文献传递
一种晶体生长装置
本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原...
陈玲王国强吴立明吴新涛
文献传递
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga...
郭国聪王国强刘彬文姜小明
一种可视化CVT硫化物晶体生长装置与方法
本申请公开了一种适用于单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的可视CVT晶体生长装置与方法,属于单晶生长技术领域。将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>多晶原料和ICl<S...
郭国聪王国强刘彬文姜小明
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用
本申请公开了一种铁电单晶的制备方法,将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的原料在真空条件下进行加热,高温保温,然后以0.1~100℃/天的速率降温进行晶体的生长,得到所述Ga<Sub>2</S...
刘彬文郭国聪王国强姜小明曾卉一徐忠宁王观娥
一种晶体生长装置
本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原...
陈玲王国强吴立明吴新涛
文献传递
一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法
本发明公开了一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法,包括:1)采用BaCO<Sub>3</Sub>与NH<Sub>4</Sub>H<Sub>2</Sub>...
陈玲王国强吴立明吴新涛
文献传递
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga...
郭国聪王国强刘彬文姜小明
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的制备方法以及该单晶在铁电材料、压电器件及热电器件中的应用
本申请公开了一种铁电单晶的制备方法,将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的原料在真空条件下进行加热,高温保温,然后以0.1~100℃/天的速率降温进行晶体的生长,得到所述Ga<Sub>2</S...
刘彬文郭国聪王国强姜小明曾卉一徐忠宁王观娥
文献传递
一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法
本发明公开了一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法,包括:1)采用BaCO<Sub>3</Sub>与NH<Sub>4</Sub>H<Sub>2</Sub>...
陈玲王国强吴立明吴新涛
文献传递
共1页<1>
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