您的位置： 专家智库 > >

邓高强

作品数：31 被引量：4H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇半导体
  • 11篇氮
  • 9篇电极
  • 9篇发光
  • 6篇极化
  • 6篇发光器件
  • 6篇半导体发光器...
  • 5篇金属
  • 5篇ALGAN
  • 4篇盖层
  • 4篇SIC衬底
  • 4篇掺杂
  • 4篇衬底
  • 3篇导体
  • 3篇电子器件
  • 3篇石墨
  • 3篇势垒
  • 3篇势垒层
  • 3篇金属有机物
  • 3篇金属有机物化...

机构

  • 31篇吉林大学

作者

  • 31篇邓高强
  • 30篇张源涛
  • 16篇张宝林
  • 12篇董鑫
  • 8篇杜国同
  • 4篇韩煦
  • 3篇李鹏翀
  • 3篇吴国光
  • 2篇王建立
  • 2篇陈威
  • 2篇马艳
  • 2篇黄振
  • 2篇李国兴
  • 2篇陈靓
  • 2篇闫龙
  • 2篇林翔
  • 1篇关涛
  • 1篇段彬
  • 1篇黄振
  • 1篇刘明哲

传媒

  • 5篇发光学报

年份

  • 3篇2025
  • 8篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 31 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法
一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。其从下至上依次由衬底、Al<Sub>x0</Sub>Ga<Sub>1‑x0</Sub>N模板层、n‑Al<Sub>x1</Sub>Ga...
张源涛陈靓韩煦邓高强董鑫张宝林
p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法
一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的Al<Sub>z</Sub>Ga<...
杜国同张源涛邓高强
一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法
一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n‑GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层...
张源涛闫龙邓高强韩煦李鹏翀
一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法
本发明适用于负热膨胀材料技术领域，提供了一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法，所述材料为ErCo<Sub>2</Sub>合金材料，所述ErCo<Sub>2</Sub>合金材料的原材料包括铒和钴，铒的摩尔数占原材料总摩...
李国兴张宝林张源涛董鑫吴国光邓高强王建立林翔
一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法
一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法，属于半导体材料外延生长领域。其依次由SiC衬底、AlN成核层、Al组份x1从1到0线性渐变的Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N...
张源涛邓高强董鑫张宝林杜国同
一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法
一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层...
张源涛关涛邓高强张立东左长财
一种低噪声、高响应Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基雪崩光电二极管及其制备方法
一种低噪声、高响应Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基雪崩光电二极管(APD)及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
董鑫焦腾陈威张源涛邓高强张宝林
p-NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法
一种p‑NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y</Sub>N外延下限制层、In...
杜国同张源涛邓高强
一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法
一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Al<Sub>x1</Su...
邓高强张源涛 于佳琪 赵敬凯 王昱森
一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法
一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。该器件在同一衬底上集成了PMOS器件与NMOS器件，每种器件结构都由衬底、AlN缓冲层、高阻GaN层、AlGaN势垒层、GaN沟道层...
张源涛 张立东邓高强 左长财
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0