您的位置： 专家智库 > >

张峰

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇铟镓氮
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇空穴
  • 3篇发光
  • 2篇叠层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇制法
  • 2篇量子
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇发光效率
  • 2篇半导体
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇叠层结构

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇张立群
  • 7篇杨辉
  • 7篇张书明
  • 7篇李德尧
  • 7篇刘建平
  • 7篇张峰
  • 5篇池田昌夫
  • 4篇周坤
  • 3篇冯美鑫
  • 1篇李增成
  • 1篇孙钱
  • 1篇程洋

传媒

  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
低补偿p型GaN的变温霍尔研究
本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.
田爱琴张书明李德尧张立群杨辉刘建平池田昌夫李增成冯美鑫周坤温鹏雁张峰胡威威
关键词：电学特性补偿比
文献传递
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
文献传递
具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一...
张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
GaN基蓝光激光器的退化机制研究
本文研究了GaN基蓝光激光器的退化失效机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增加下降、阈值增加,激射前自发辐射复合强度减弱,而反向漏电流和斜率效率基本不变;通过增益损...
温鹏雁杨辉李德尧张书明冯美鑫刘建平张立群周坤田爱琴张峰
关键词：蓝光激光器氮化镓光电特性
文献传递
半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激...
程洋刘建平田爱琴冯美鑫张峰张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法
本发明公开了一种具有铝镓氮插入层的氮化镓基半导体发光器件及其制作方法，该半导体发光器件包括量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少一组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱，每组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱之间包括至少一层铝镓氮插入层...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一...
张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0