您的位置： 专家智库 > >

朱海

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术轻工技术与工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇掺杂
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇激光
  • 2篇发光
  • 1篇单晶
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇氮原子
  • 1篇等离子态
  • 1篇电极
  • 1篇电器件
  • 1篇电致发光
  • 1篇电注入
  • 1篇镀金属
  • 1篇修复系统
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化镓
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶面板
  • 1篇异质结

机构

  • 10篇中山大学
  • 1篇中国航天科工...

作者

  • 10篇朱海
  • 3篇陈安琪
  • 2篇汤子康
  • 1篇陈明明
  • 1篇桂许春

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇1994
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种远距离自主多物态光谱检测系统
本发明公开了一种远距离自主多物态光谱检测系统，所述的系统包括高能量脉冲激光器、组合透镜、光谱分析仪；所述的高能量脉冲激光器，用于产生高能量激光，并将所述的高能量激光对准远处的待测多物态样品，使其产生高温等离子态，进而激发...
朱海王润晨余阳城王必成韦海园朱云亮周洁
文献传递
一种基于二维微米带的光电器件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维微米带的光电器件及其制备方法。所述基于二维微米带的光电器件由微米带和插指电极构成，所述插指电极利用光刻法成对安装于二维微米带上，所述插指电极的指间距为5‑20 um。所述光电器件通过以下步骤通过以...
朱海楼观林陈安琪吴雁艳陈智阳任昱昊
文献传递
基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外LED及其制备方法
本发明涉及一种基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外发光LED及其制备方法。该高亮度紫外LED包括：生长衬底、衬底上先沉积缓冲层，接着生长n型薄膜层，在n型薄膜层上生长有源发光层，最后生长p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极...
汤子康陈安琪朱海桂许春
文献传递
一种采用K空间角分辨瞬态光谱和寿命测试系统
本实用新型公开了一种采用K空间角分辨瞬态光谱和寿命测试系统，包括用于接收激发光的分束器、微区显微装置、用于对样品激发出的信号光波进行聚焦处理的透镜系统、用于接收透镜系统处理后的信号光波的光谱仪；分束器将接收到的激发光反射...
朱海郑湖颖王亚琪汤梓荧王润晨
一种采用深紫外激光的液晶面板修复系统
本发明公开了一种采用深紫外激光的液晶面板修复系统，包括固体激光装置、光路装置、聚焦装置、移动平台及成像装置，所述固体激光装置包括在光路上依次排布的1064nm激光器、二次倍频器和四次倍频器，所述1064nm激光器产生的激...
朱海郑湖颖汤梓荧王亚琪韦海园
文献传递
一种氧化镓基调制掺杂高迁移率顶栅晶体管
本发明公开了一种氧化镓基调制掺杂高迁移率顶栅晶体管，包括衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道、复合氧化物栅极、栅极、源极、漏极、绝缘层；所述的衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道由...
朱海汤梓荧余阳城王立胜王庭云
一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器
本发明公开了一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器，包括由下至上依次包括金刚石单晶衬底、p型金刚石薄膜、Ga极性调控层、本征i‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层...
朱海汤梓荧王必成王庭云
一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片
本发明公开了一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，包括两个第一n型电极、第一n‑GaN二维拓扑光子晶体、n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑G...
朱海郑湖颖王亚琪王润晨王竞卓王庭云
基于Be辅助氮掺杂p型ZnO的紫外发光器件
紫外发光二极管的成功被认为是未来使半导体照明完全取代日光灯照明的重要保证，而氧化锌作为有希望在第三代半导体中脱颖而出的重要半导体光电材料，除了拥有与氮化镓相近的晶格结构和禁带宽度，还有许多独特的优势。
陈安琪朱海陈明明吴雁艳汤子康
关键词：氧化锌P型掺杂发光二极管
mEGF在枯草杆菌和酿酒酵母中的表达和分泌
朱海
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0