秦丽媛
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 一种防热材料高温疲劳性能测试的方法及装置
- 公开了一种防热材料高温疲劳性能测试的方法及装置。其中，防热材料高温疲劳性能测试的方法包括：根据防热材料的尺寸以及服役温度，确定测试交流电流，并给防热材料施加测试交流电流；将防热材料置于电磁场内，在不同的磁场强度下将标距段...
- 金华彭祖军孟松鹤牛家宏秦丽媛
- 文献传递
- 一种适用于大功率激光加热的超高温样品台
- 本发明涉及一种适用于大功率激光加热的超高温样品台，包括垫片、主体支架和定位隔热托盘。其中，垫片和主体支架采用分体式结构，实现了超高温材料的稳定承载，保证了样品台在多次、长时间加热条件下的结构稳定性，无需多次试验频繁更换，...
- 金华曾庆轩孟松鹤卓立军秦丽媛
- ZrB2--SiC陶瓷复合材料强度的多尺度分析
- 随着航空航天技术的快速发展，可用于飞行器鼻锥、机翼前缘及发动机热端等关键部位的超高温材料主要集中在硼化物、碳化物等组成的超高温陶瓷材料。在超高温陶瓷材料中，ZrB2以其高熔点、高强度、高硬度、良好的导电导热性能和耐腐蚀性...
- 秦丽媛
- 关键词：陶瓷复合材料硼化锆碳化硅微观结构
- 文献传递
- 一种防热材料高温疲劳性能测试的方法及装置
- 公开了一种防热材料高温疲劳性能测试的方法及装置。其中，防热材料高温疲劳性能测试的方法包括：根据防热材料的尺寸以及服役温度，确定测试交流电流，并给防热材料施加测试交流电流；将防热材料置于电磁场内，在不同的磁场强度下将标距段...
- 金华彭祖军孟松鹤牛家宏秦丽媛
- 基于微观图像及内聚力模型的复合材料裂纹扩展模拟被引量：4
- 2017年
- 为研究材料微观结构及晶界强度对材料力学性能的影响,在晶界处引入内聚力单元模型,模拟晶间破坏过程。以ZrB_2-SiC复合材料为研究对象,将其扫描的微观结构图片进行矢量化处理,并导入ABAQUS有限元软件中建立模型,同时在其晶界处,设置内聚力单元模拟晶界破坏过程。通过改变Zr B2与Si C相界面强度,得到了晶界及材料不均匀对材料应力分布及裂纹扩展的影响。结果表明,由于晶界的存在,材料内部出现应力分布不均匀现象并产生应力集中。随着晶界强度的改变,裂纹起始位置及扩展方向发生改变,且裂纹沿低强度的界面进行扩展。随着ZrB_2-SiC界面强度增大,材料的强度提高,拉伸模量不变。
- 秦丽媛孟松鹤李金平金华
- 关键词：微观结构
- 一种适用于大功率激光加热的超高温样品台
- 本发明涉及一种适用于大功率激光加热的超高温样品台，包括垫片、主体支架和定位隔热托盘。其中，垫片和主体支架采用分体式结构，实现了超高温材料的稳定承载，保证了样品台在多次、长时间加热条件下的结构稳定性，无需多次试验频繁更换，...
- 金华曾庆轩孟松鹤卓立军秦丽媛
- 文献传递
- ZrB_2晶体基态性能的第一性原理计算（英文）
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法计算了Zr B_2晶体的晶格常数、电子结构、弹性常数以及Debye温度。计算结果表明,采用广义梯度近似交换关联势与超软赝势得到的Zr B_2晶格常数分别为a=0.316 81 nm和c=0.353 53 nm,与实验值相对误差仅为0.058%。B原子的2p轨道与Zr原子的4d轨道上的共价电子杂化是其产生"赝带隙"的主要原因。Mulliken布居分析表明,Zr原子有部分电子转移到B原子周围,产生了一定的离子键。为了研究应变幅对弹性常数计算结果的影响,采用了4种不同的应变幅,通过预设应力–应变法计算的Zr B_2单晶的弹性模量矩阵,结果与实验值一致。通过弹性常数计算得到的Debye温度为927 K,也与实验值910 K吻合。
- 秦丽媛李金平孟松鹤罗晓光张幸红
- 关键词：第一性原理基态晶格常数
- 基于ZrB2-SiC微观结构的扩展有限元研究
- <正>针对处理非连续问题发展了一种处理非连续问题的扩展有限元方法。从该方法出发,以ZrB2-SiC陶瓷为对象,研究材料微观结构对裂纹扩展的影响。通过热腐蚀和显微成像技术获取微观结构形貌特征,利用统计学原理测量不同形状晶粒...
- 秦丽媛孟松鹤矫利闯霍施宇王伟
- 文献传递
- CuAlNi合金马氏体相变的声发射研究
- 马氏体相变是热处理基础理论之一。工业生产的很多领域都存在对马氏体相变的应用。近年来马氏体相变中的形状记忆效应及超弹性逐渐成为研究的热点。铜基形状记忆合金是目前发现的形状记忆合金中重要的一类，其具有力学性能稳定、成本低等特...
- 秦丽媛
- 关键词：形状记忆合金马氏体相变无损检测
- 应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟（英文）
- 2016年
- 采用分子动力学方法对Si C单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方Si C单晶[001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01~10 ps^(–1)时,拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中Si C晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps^(–1)时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa。应变率大于10 ps^(–1)时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变。
- 秦丽媛孟松鹤李金平田爽
- 关键词：碳化硅应变率分子动力学
