戴江南
- 作品数：54 被引量：94H指数：6
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种深紫外LED集成芯片及其制备方法
- 本发明属于深紫外LED芯片领域公开了一种深紫外LED集成芯片及其制备方法，该芯片是以单一一片外延生长有AlGaN外延片的晶圆衬底为基底，集成有至少2个PN结单元；每一个PN结单元作为一个深紫外LED发光单元，能够实现发光...
- 张会雪郑志华吴峰戴江南陈长清
- 用于深紫外发光二极管的高质量AlN及AlGaN材料MOCVD外延生长
- AlGaN 基深紫外发光二极管(Deep ultraviolet light-emitting diodes,DUV-LEDs)在杀菌、水和空气净化、医疗光疗、生化检测、保密通信等领域具有重要的应用前景1,近年来得到了广...
- 陈长清王帅吴峰张骏陈景文龙瀚凌梁仁瓅戴江南
- 关键词：ALNALGANMOCVD
- MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
- 程海英王立方文卿蒲勇郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNOMOCVDX射线衍射光致发光
- 一种高出光效率的深紫外发光二极管芯片及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高出光效率的倒装深紫外发光二极管芯片及芯片的制备方法。本发明提供的高出光效率倒装深紫外发光二极管芯片选择采用具有高紫外光反射性的Ni/Al材料作为p型电极材料，不但可以部分改善金...
- 王帅陈景文何炬戴江南陈长清
- 文献传递
- N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究被引量：6
- 2006年
- 采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果显示,ZnO倾斜对称面(10-12)的ω扫描半峰全宽为350″,表明ZnO薄膜结晶性能良好;低温10 K光致发光谱结果表明,N2O为氧源生长的ZnO膜和H2O为氧源生长的ZnO膜的发光特性明显不同,没有观察到与氢有关的中性施主束缚激子对应的3.331 eV双电子卫星峰(TES)。这一结果表明,用N2O为氧源生长的ZnO薄膜中不易引进氢杂质。
- 苏宏波戴江南王立蒲勇方文卿江风益
- 关键词：薄膜光学光致发光ZNON2O
- 衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响被引量：11
- 2004年
- 以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 2 )非对称衍射结果 .研究结果表明 ,在 5 0 0～ 70 0℃范围内随生长温度升高 ,Zn O薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽 ,表面粗糙度减小 ,晶粒尺寸增大 ,在衬底温度为 6 0 0℃时生长的 Zn O膜的深能级发射最弱 .
- 熊传兵方文卿蒲勇戴江南王立莫春兰江风益
- 关键词：MOCVDZNOX射线双晶衍射原子力显微镜
- 生长温度对ZnO薄膜性能的影响被引量：15
- 2006年
- 采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大.
- 苏宏波戴江南蒲勇王立李方文卿江风益
- 关键词：ZNOMOCVDX射线双晶衍射光致发光
- AlGaN基紫外LED器件及高密封装技术研究进展
- ,AlGaN基紫外LED正成为世界各大公司(飞利浦、韩国LG等)和研究机构新的研究焦点之一.国内目前关于紫外LED的研究工作属于起步发展阶段,仍存在紫外发光功率低、可靠性差、寿命较低等许多问题亟需解决.本文中，主要通过M...
- 戴江南张建宝张骏吴峰王帅梁仁瓅李乐陈长清
- 关键词：紫外发光二极管
- 非极性面n-ZnO/p-AlGaN异质结雪崩发光二极管及其电致发光特性的研究
- 氧化锌(ZnO)因其高的室温激子激活能成为了紫外光电器件中极具潜力的半导体材料.ZnO 基发光二极管(LED)和激光器也得到了广泛研究.通常，沿c 方向生长的ZnO 基LED 器件存在自发极化和压电极化导致量子效率降低的...
- 陈景文张骏吴峰王帅陈成龙瀚凌梁仁瓅赵翀戴江南陈长清
- 一种利用H<Sub>2</Sub>腐蚀和SiN<Sub>x</Sub>掩埋提高AlGaN材料质量的方法
- 本发明公开了一种提高AlGaN材料的MOCVD生长方法。该方法采用H<Sub>2</Sub>腐蚀AlGaN材料的方法，获得图形化的位错坑，再在此基础上沉积SiN<Sub>x</Sub>作为位错掩埋层，从而提高对位错弯曲和...
- 田武张骏鄢伟一戴江南陈长清
- 文献传递
