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铜与钌电化学机械抛光及其特性的研究: 大规模集成电路制造中采用大马士革工艺实现多层铜互连结构，其中铜的电化学机械抛光与铜/钌阻挡层的电化学机械抛光是关键的两个独立的步骤。随着铜布线特征尺寸日益减小和器件结构层向微细复杂化发展，铜/低k介质材料互连技术为集成电...; 边燕飞; 关键词：铜元素材料去除率电偶腐蚀集成电路

5-甲基苯并三氮唑作为电腐蚀抑制剂在铜电化学机械平坦化中的应用(英文)被引量：1: 2013年; 根据电化学分析,5-甲基苯并三氮唑(m-BTA)的腐蚀抑制能力要高于苯并三唑(BTA)的。当羟基乙叉二膦酸(HEDP)电解液中同时含有m-BTA及氯离子时,其抑制解离能力比只含有m-BTA的更好,即使施加更高的阳极氧化电位依然能保持良好的抑制能力。由电化学阻抗谱法、纳米划痕实验以及能谱分析结果得知,m-BTA抑制能力的提升是因为整体钝化膜厚度的增加而引起的。由X射线光电子能谱分析得知,氯离子与m-BTA钝化层形成[Cu(I)Cl(m-BTA)]n高分子化合物,使得整体钝化层厚度增加。因此,在含有m-BTA的HEDP电解液中添加氯离子有助于m-BTA钝化层抑制能力的增强,进而更有效的电位操作区间得到扩展。; 边燕飞翟文杰朱宝全; 关键词：腐蚀抑制剂氯离子

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边燕飞