陈胜
- 作品数：5 被引量：13H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 胶体化学法合成InP量子点被引量：3
- 2006年
- 采用InCl3·4H2O为铟源，P（Si（CH3）3）3为磷源，TOPO为包覆剂，十二烷胺为表面活性剂，通过胶体化学法合成InP量子点。使用TEM对量子点表面形貌进行了分析，利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质。所合成的量子点具有较好的分散性和表面性能，随着粒径的减小，表现出较好的量子效应。量子点表面性能的好坏是影响其光学性能的一个关键因素。
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：量子点纳米晶胶体化学法
- 胶体化学法合成InP量子点
- 本文采用InCl3·4H2O为铟源,P(Si(CH3)3)3为磷源,TOPO为包覆剂,十二烷胺为表面活性剂,通过胶体化学法合成了InP量子点。文章使用TEM对量子点表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分...
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：纳米晶量子点胶体化学法
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- InP胶体量子点的合成及光谱性质被引量：8
- 2006年
- 以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.
- 张道礼张建兵吴启明袁林陈胜
- 关键词：纳米晶量子限制效应
- 运算放大器的频域响应与建立时间
- 2007年
- 结合CMOS运算放大器,从一阶系统着手,重点分析二阶系统的频域响应与建立时间的关系,并给出合理设计建议.最后结合分析,设计一个在速度、精度、功耗和输出摆幅等方面都能有良好表现的运算放大器。
- 陈胜张道礼吴艳辉梁延斌
- 关键词：运算放大器阶跃响应
- 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量：2
- 2007年
- 基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
- 张道礼梁延彬吴艳辉陈胜
- 关键词：带隙基准温度系数电源抑制比
