杜明军
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 带隙型光子晶体光纤及其分析方法被引量：1
- 2008年
- 光子晶体光纤是近年来出现的一种新型光纤,其特点是包层排列有规则或随机分布的波长量级的空气孔。包层中的微结构使得光子晶体光纤能够呈现出许多传统光纤不具备的特性,其在光通信领域具有极大的应用前景。文章从光子晶体的概念出发,概述了光子晶体的特征,通过引入光子晶体光纤的概念,介绍了光子带隙型与全内反射型光子晶体光纤的基本结构及导光原理。同时文章简要分析了带隙型光子晶体光纤的各种主要理论研究方法,并对其做出了相应的评价。
- 宋万里姜海明杜明军庞志海谢康王亚非
- 一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：首先将清洗后的基片放入高真空腔室中；其次将高纯氩气通入真空腔室，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射...
- 吴志明蒋亚东杜明军罗振飞王涛许向东
- 文献传递
- 退火对纳米VO_2薄膜结构及电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用直流反应磁控溅射法在K9玻璃和KBr衬底上制备了VO2薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)对薄膜的形貌、晶相和分子结构等进行分析。结果表明,在氧气气氛下退火后,薄膜颗粒变得清晰可见,平均尺寸约25 nm,薄膜由非晶态结构转变为晶态的VO2,且在(011)方向出现明显择优取向生长。利用四探针对薄膜电阻温度特性的测试结果显示,薄膜经过O2气氛退火10 min后具有显著的电阻突变特征,24℃时的激活能为0.24 eV。实验结果表明,退火改变了薄膜的结构形貌,进而对薄膜的电学性能产生影响,选择合适的退火条件可以获得性能优良的VO2薄膜。
- 杜明军吴志明罗振飞许向东王涛蒋亚东
- 关键词：磁控溅射VO2相变电学性能
- 一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：首先将清洗后的基片放入高真空腔室中；其次将高纯氩气通入真空腔室，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射...
- 吴志明蒋亚东杜明军罗振飞王涛许向东
- 氧化钒薄膜的制备及其光电性能研究
- 二氧化钒(VO2)是一种具有热致相变特性的金属氧化物。随着温度的升高，大约在68℃附近会发生从低温半导体相到高温金属相的可逆转变，同时伴随着光、电、磁性能的突变。这一特有的性质决定了VO2具有较高的潜在应用价值和广阔的应...
- 杜明军
- 关键词：半导体氧化钒薄膜磁控溅射法光电性能
- 直流磁控溅射法制备非晶态氧化钒薄膜光学特性研究被引量：2
- 2010年
- 研究了直流反应磁控溅射工艺中衬底温度对氧化钒(V2O5)薄膜性能的影响,利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见光分光光度计(UV1700)分别对薄膜进行了表征。实验结果表明,除了组分和晶态,薄膜的形貌和光学性能受衬底温度的影响很大。随着衬底温度的升高,膜表面变得粗糙,膜厚减小。光学特性测试表明,当衬底温度从160℃升高到320℃,光学带隙从2.39 eV下降到2.18 eV。
- 杜明军吴志明罗振飞许向东王涛蒋亚东
- 关键词：V2O5薄膜衬底温度
