陈浩
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市教育发展基金会“曙光计划”项目上海市基础研究重大（重点）项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路
- 2014年
- 提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最小沟道长度、相同器件尺寸、不同STI宽度的共9种NMOS阵列。测量了这些阵列的饱和电流Idsat,以分析STI应力对器件性能的影响。此外,还测量了这些阵列的线性区阈值电压Vtlin波动作为对比。测试芯片在28 nm工艺中进行了流片和验证。每种测试电路所占版图面积为415μm×50μm。测试结果表明STI应力对器件性能有明显的影响,而且随着STI宽度的减小,Idsat波动增大,而Vtlin波动减小。
- 姜钰刘宁希董庆陈浩林殷茵
- 关键词：检测电路饱和电流
- 新型WO_3/HMS催化剂的制备及其对环戊烯选择氧化反应的催化性能被引量：16
- 2005年
- 采用草酸络合方法将WO3固载到六方介孔全硅分子筛HMS上,制得新型WO3/HMS非均相催化剂.利用SEM,TEM,N2吸附,XRD及激光拉曼光谱等手段对催化剂进行了表征,研究了催化剂在环戊烯选择性氧化合成戊二醛反应中的催化性能.结果表明,在WO3/HMS催化下环戊烯和H2O2的转化率均可达100%,戊二醛的选择性可达72%.WO3以高分散状态存在于催化剂表面.单次反应后钨的溶脱量(5.5μg/ml)很小,对反应几乎没有影响.催化剂具有较高的稳定性,可以重复套用6次.失活后的催化剂可通过简单焙烧的方式再生.
- 杨新丽戴维林徐建华陈浩曹勇范康年
- 关键词：氧化钨负载型催化剂环戊烯戊二醛
- 孔壁上原位合成催化活性位的W-MCM-41及其在环戊烯催化氧化制备戊二醛中的应用
- 本文应用原位合成法制备了催化活性位高度分布于介孔孔壁中的固载钨酸催化剂W-MCM-41,并介绍了其在环戊烯催化氧化制备戊二醛中的应用.
- 陈浩戴维林
- 关键词：环戊烯戊二烯
- 文献传递
- 过氧铌酸催化下双氧水选择氧化环戊烯制备戊二醛被引量：7
- 2002年
- 以氧化铌为原料制备了过氧铌酸、以乙醇为溶剂、双氧水为氧化剂的体系中 ,过氧铌酸作为催化剂能够高效的催化环戊烯制备戊二醛 .在优化的反应条件下 ,环戊烯的转化率达 10 0 % ,戊二醛的得率高达 72 % .
- 陈浩邓景发蒋安仁戴维林范康年
- 关键词：双氧水环戊烯戊二醛催化剂催化氧化反应
- 先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试
- 2013年
- 对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.
- 陈浩董庆马亚楠林殷茵
- 关键词：漏电流SRAM
