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程成
作品数:
1
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供职机构:
浙江大学物理系硅材料国家重点实验室
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相关领域:
理学
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合作作者
庄飞
浙江大学物理系硅材料国家重点实...
何江平
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汪雷
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唐景昌
浙江大学物理系硅材料国家重点实...
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浙江大学学报...
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2001
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CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
2001年
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于
庄飞
程成
汪雷
何江平
唐景昌
关键词:
一氧化碳
氧化镍
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